型号:

FDMS7602S

品牌:ON(安森美)
封装:Power56
批次:22+
包装:编带
重量:0.109g
其他:
-
FDMS7602S 产品实物图片
FDMS7602S 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1W 30V 12A;17A 2个N沟道 Power-56-8
库存数量
库存:
2551
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
5.66
100+
4.71
750+
4.37
1500+
4.16
产品参数
属性参数值
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5mΩ@10V,17A
功率(Pd)2.2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.8V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)28nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.75nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)70pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

FDMS7602S 产品概述

产品简介

FDMS7602S 是一款高性能的双 N-通道 MOSFET,专为各种高效能应用设计。该器件集成了两路 N-通道 MOSFET,具有良好的热性能和高开关速度,特别适合用于电源管理、转换器以及各种需要高效率开关的电路中。其主要参数表明,器件在实现较高电流和较低导通电阻的同时,具备优异的工作范围和牢靠性,是现代电子产品中理想的选择。

主要电气特性

  1. 最大漏极电流 (Id): 该器件在25°C下的连续漏极电流可达12A,同样在更多特定条件下可达17A,使其在高功率应用中表现出色。

  2. 漏源电压 (Vdss): FDMS7602S 的漏源电压最大为30V,适合在视电压范围内的多样化电路设计。

  3. 导通电阻 (Rds(on)): 在12A和10V的条件下,该器件的最大导通电阻为7.5毫欧,保证了在高电流应用中较低的功耗和热损耗。

  4. 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 在250μA的条件下,器件的最大栅极阈值电压为3V,这使得其能够以较低的门电压轻松开启,适合逻辑电平驱动。

  5. 栅极电荷 (Qg): 在10V条件下,该器件的最大栅极电荷为28nC,具有优良的开关特性,提高了开关速度,降低了开关损耗。

  6. 输入电容 (Ciss): 最大值为1750pF,在15V的条件下表现出较好的输入特性,适用于高频率开关电路。

工作环境与可靠性

FDMS7602S 的工作温度范围广泛,从-55°C到150°C,能在多种极端环境下稳定运行。此外,该器件采用了表面贴装型 (SMD) 封装,即 Power56,能够支持高密度的布线设计,便于在有限空间内集成更多高性能硬件,满足现代电子产品对于小型化、低功耗的需求。

应用领域

FDMS7602S 在多个领域表现出优异的适应性,特别适用于:

  • 电源管理模块: 用于DC-DC转换器、AC-DC电源以及电池管理系统中,优化功耗和提高效率。
  • 开关应用: 可靠的切换特性让其在负载切换、负载继电器驱动中发挥关键作用。
  • 电机驱动: 适用于直流电机与步进电机的驱动,提供稳定的电流并提升电机性能。
  • 高频开关电源: 在高频频率下,FDMS7602S 支持快速开关,有助于提升系统效率。

总结

FDMS7602S 作为一款高效能的双 N-通道 MOSFET,凭借其低导通电阻、宽电流范围以及强大的工作温度,成为电子设计中的重要元件。无论是在电源管理、电机驱动,还是高频开关应用中,其出色的参数都使其成为设计工程师的理想选择。作为安森美(ON)推出的高质量产品,FDMS7602S 定能为您的设计带来更高的效率与可靠性。