型号:

SMMUN2114LT1G

品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3(TO-236)
批次:22+
包装:编带
重量:-
其他:
SMMUN2114LT1G 产品实物图片
SMMUN2114LT1G 一小时发货
描述:数字晶体管 246mW 50V 100mA 1个PNP-预偏置 SOT-23
库存数量
库存:
579
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.447
200+
0.288
1500+
0.251
3000+
0.221
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)246mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)80@5.0mA,10V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)1.4V@1.0mA,0.2V
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)700mV@100uA,5.0V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)200mV
输入电阻10kΩ
电阻比率0.21
工作温度-55℃~+150℃

SMMUN2114LT1G 产品概述

概述

SMMUN2114LT1G是一款高性能的PNP数字晶体管,其主要应用于开关和放大电路中。这种元器件采用表面贴装型(SMD)封装,符合现代电子设备对体积和性能的要求,具有良好的热管理性能和电气特性。作为ON Semiconductor(安森美)推出的一款数字晶体管,SMMUN2114LT1G凭借其优越的参数表现,成为众多电路设计师的首选元件。

基本参数

  1. 晶体管类型: PNP - 预偏压
  2. 最大集电极电流 (Ic): 100mA - 该规格表明SMMUN2114LT1G能够承受高达100mA的集电极电流,非常适合用于驱动负载和信号的放大应用。
  3. 集射极击穿电压 (Vce max): 50V - 提供了较大的电压裕度,使其可以安全地在多个电压水平下工作,适应多种应用场合。
  4. 最大功率: 246mW - 在此功率下工作,保证了器件的热稳定性与可靠性。
  5. 基极电阻 (R1): 10 kΩ - 此参数说明了基极电流与集电极电流之间的敏感度,适合于精准控制基极电流。
  6. 发射极电阻 (R2): 47 kΩ - 充分表明了在发射极的设计参数,以优化性能。
  7. 电流增益 (hFE): 最小值为80,测试条件为5mA和10V。电流增益的高值意味着在较小的基极电流下可以有效驱动较大的集电极电流。
  8. 饱和压降 (Vce sat): 在300µA和10mA时,最大值为250mV,表明其在开关状态下拥有较低的电压损失,提高了能量效率。

安装与封装

SMMUN2114LT1G采用SOT-23-3(TO-236)封装,适合表面贴装,同时因其小巧的设计使其在空间受限的应用中,如移动设备、便携式电子产品等,展现出良好的适用性和灵活性。这一封装类型不仅便于自动化生产线的安装,也有助于提高整个电路板的集成度。

应用领域

SMMUN2114LT1G适用于广泛的应用领域,包括:

  • 开关电路:可以作为开关元件用于高频和低频的开关电路设计中,如LED灯驱动、继电器驱动等。
  • 音频放大器:可作为音频信号放大器,提升音频信号的强度,适合用于音响设备和音频处理器。
  • 信号处理:在多种信号处理应用中,可以用于小信号的放大与处理,确保信号传输的质量。
  • 控制电路:适合用于微控制器和单片机的控制电路,通过数字信号控制大功率负载。

性能优势

  1. 高效能:得益于其优秀的电流增益和低饱和压降,确保其在高功率开关操作中表现更加高效,降低系统总功耗。
  2. 高可靠性:具备较大的电压裕度和良好的热性能,适合在多变的工作环境中使用,确保长期的电路稳定性。
  3. 优秀的兼容性:多样的封装选项和设计参数,使其可以与多种其他元器件集成,适应多种电路设计需求。

结论

SMMUN2114LT1G是一款功能强大,性能优秀的PNP数字晶体管,广泛应用于现代电子设备的各个领域。它的高集电极电流容量、良好的电流增益特性以及兼容的封装方式,使其成为开关和放大电路设计的理想选择。选择SMMUN2114LT1G,将为设计者提供更高的设计灵活性和系统可靠性,助力实现更复杂的电路应用。