型号:

NSVBAS21TMR6T1G

品牌:ON(安森美)
封装:SC-74
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
-
NSVBAS21TMR6T1G 产品实物图片
NSVBAS21TMR6T1G 一小时发货
描述:通用二极管 NSVBAS21TMR6T1G SC-74
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商品单价
梯度内地(含税)
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0.617
200+
0.426
1500+
0.386
3000+
0.362
产品参数
属性参数值
二极管配置3 个独立式
二极管类型标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)250V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)200mA(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.25V @ 200mA
速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间 (trr)50ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏100nA @ 200V
工作温度 - 结-55°C ~ 150°C
安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-74,SOT-457
供应商器件封装SC-74

NSVBAS21TMR6T1G 产品概述

一、产品基本信息

NSVBAS21TMR6T1G 是由安森美(ON Semiconductor)推出的一款高性能通用二极管,采用 SC-74 封装,属于 SOT-457 模块,其设计主要用于各种电子设备的基础整流和信号处理应用。此款二极管配置了三个独立式二极管,适合多种电路设计的需求,具备优良的电气特性和耐用性。

二、关键电气参数

  1. 电压和电流特性

    • 最大反向电压 (Vr):250V
    • 平均整流电流 (Io):每个二极管 200mA(直流)
    • 正向电压 (Vf):在 200mA 时为 1.25V,这一参数表明了二极管在正常工作条件下的电压降。
  2. 反向特性

    • 反向泄漏电流:在 200V 的反向电压下,反向泄漏电流小至 100nA,保证了设备在静态工作下的低功耗表现。
    • 反向恢复时间 (trr):反向恢复时间为 50ns,表明该二极管在高频应用中的优越表现,能够快速切换,适用于快速开关电路。
  3. 温度范围

    • 工作结温度范围为 -55°C 到 150°C,广泛适用于不同环境和严苛条件下的操作。

三、物理特性与封装

NSVBAS21TMR6T1G 采用表面贴装型设计(SMD),封装尺寸为 SC-74。该小型封装不仅节省了电路板空间,还为自动化生产提供了便利。SC-74 封装的优越 thermal performance 亦使得产品在高温环境下工作时表现稳定。

四、应用场景

NSVBAS21TMR6T1G 适用于多种应用场景,包括但不限于:

  • 电源整流:广泛用于电源模块、开关电源、电池充电器等。
  • 信号整流:在信号处理领域中,可以作为检测二极管,频率转换和信号调制中使用。
  • 过压保护:可作为保护电路中的副本二极管,防止瞬时电压的冲击。
  • 高频切换电路:适合用于高频电子设备,如 RF 应用和高频开关电源。

五、总结

总体来看,NSVBAS21TMR6T1G 是一款性能卓越且设计灵活的通用二极管,具有良好的导通特性和优越的反向性能。其适用范围广泛,能够满足市场上对高可靠性电子元件的需求。无论是在消费电子、工业自动化还是电气和通讯设备中,这款二极管都能发挥其独特的优势,成为设计师的理想选择。安森美作为行业领军企业,其产品的质量和技术支持更是为用户提供了强有力的保障。