IPP90R1K2C3XKSA1

产品概述：IPP90R1K2C3XKSA1 (Infineon CoolMOS™ N-Channel MOSFET)

一、基本信息

IPP90R1K2C3XKSA1 是由知名半导体制造商Infineon Technologies推出的一款高性能 N 通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）。该器件属于CoolMOS™系列，专为高电压、高功率应用而设计。虽然该产品当前已停产，但其独特的性能特征和广泛的应用场景，使其在电源管理和电子设备中依然具有一定的参考价值。

二、主要参数

1. 工作电压与电流：这款MOSFET具有900V的漏源电压（Vdss），可承受高电压条件下的应用，相对较高的25°C时连续漏极电流（Id）为5.1A（Tc）。

2. 导通电阻：在2.8A和10V时，最大导通电阻（Rds On）为1.2Ω，这使得其在工作时具有较低的功耗，提升了整体效率。

3. 栅极电压：该器件的最大栅源电压（Vgs）为±20V，适用于多种电压驱动方案。同时，在310µA下，其栅极阈值电压（Vgs(th)）的最大值为3.5V，展现出良好的开关特性。

4. 功率耗散：IPP90R1K2C3XKSA1的最大功率耗散为83W（Tc），使其适用于需要高功率处理的电路设计。

5. 工作温度：器件能够在极端环境下工作，温度范围为-55°C到150°C（TJ），这使其在恶劣条件下依然保持优越的性能。

6. 封装形式：该MOSFET采用TO-220-3封装，具有良好的散热性能和便于安装的优势，适合于多种电路板配置。

三、应用场景

虽然IPP90R1K2C3XKSA1已经停产，但其设计理念和性能使得其在多种应用场景中广泛采用，主要包括但不限于：

• 开关电源：在高电压开关电源中，低导通电阻和高功率耗散能力使其能够有效地进行能源管理，提升系统整体的电能转换效率。

• 电机驱动：该MOSFET能够用于电机驱动电路，在需要高效能和稳定性能的同步电机控制中扮演重要角色。

• 工业控制系统：在需要高电压、高电流的工业应用中，IPP90R1K2C3XKSA1能够提供稳定的控制信号，确保系统可靠性。

• 电源管理设备：该器件适用于各种电源管理设备，从而实现更高的能效和更低的热量散发。

四、总结

IPP90R1K2C3XKSA1 N-Channel MOSFET是Infineon Technologies推出的一款高性能电子元器件，具有900V的高漏源电压、优异的导通电阻及功率处理能力，适合高电压及高功率应用。尽管该产品已停产，但在众多电子设计和应用中，其特性依然具有深远的影响。开发人员和设计师可以从其数据中获得的重要设计参考，从而选择适合其项目需求的替代产品。

在未来的电子设计中，对高性能、低损耗电子元件的需求将不断增长，以满足日益严苛的能效标准和应用场景。尽管IPP90R1K2C3XKSA1已经成为历史，但其所代表的CoolMOS™技术理念依旧将引领高效能电源设计的发展趋势。