型号:

IRLR3105TRPBF

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TO-252-3(DPAK)
批次:-
包装:编带
重量:0.535g
其他:
IRLR3105TRPBF 产品实物图片
IRLR3105TRPBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 57W 55V 25A 1个N沟道 TO-252-2
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梯度内地(含税)
1+
5.14
100+
4.28
1000+
3.9
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)25A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)37mΩ@15A,10V
功率(Pd)57W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)20nC@5V
输入电容(Ciss@Vds)710pF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

IRLR3105TRPBF 产品概述

一、产品简介

IRLR3105TRPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,由全球领先的半导体制造公司 Infineon(英飞凌)生产。该器件设计用于高效能的开关应用,广泛适用于电源管理、马达驱动、汽车电子及其他需求较高的电子设备。IRLR3105TRPBF 提供了出色的导通性能和可靠的电气特性,非常适合用于各种开关电源、DC-DC 转换器及功率放大器等电路中。

二、技术参数

  1. 基本特性

    • FET 类型: N 通道
    • 技术: MOSFET(金属氧化物场效应管)
    • 漏源电压(Vdss): 55V,适合多种电压范围的应用
    • 25°C 时的连续漏极电流(Id): 25A,能够有效满足大多数负载的要求
  2. 导通特性

    • 驱动电压: 最大 Rds On 下驱动电压为 5V 至 10V,可在不同工作条件下保证优良的导通效率
    • 导通电阻(Rds(on)): 在 Id 为 15A 和 Vgs 为 10V 时,导通电阻最大值为 37 毫欧,确保良好的电流承载能力与低发热量
  3. 栅极特性

    • Vgs(th)(栅源阈值电压最大值): 3V(@ 250µA),提供灵敏的栅极控制能力
    • 栅极电荷(Qg): 在 Vgs 为 5V 时最大值为 20nC,意味着更低的开关损耗,提高开关频率的能力
  4. 电容特性

    • 输入电容(Ciss): 710pF(@ 25V),这使得 IRLR3105TRPBF 在高频应用中表现出更好的性能,减小了驱动电路的负担
  5. 功率与热管理

    • 功率耗散(最大值): 57W(在 Tc 条件下),这为器件的工作温度提供了更大的安全余地,适应高功率应用
    • 工作温度范围: 从 -55°C 到 175°C,适用于极端工作条件,确保可靠性和长期稳定性
  6. 安装与封装

    • 安装类型: 表面贴装型(SMD),适用于现代高密度PCB设计
    • 封装: TO-252-3(D-Pak),具有较低的热阻和良好的散热特性

三、应用领域

IRLR3105TRPBF 主要应用于以下领域:

  • 电源转换: 用于 AC-DC 或 DC-DC 转换器中,作为开关元件以提升能量转换效率。
  • 马达驱动: 在电动机控制电路中,可以作为高速开关元件来控制电动机的速度和方向。
  • 汽车电子: 在汽车电气系统中,用于动力分配、电池管理和其他电源应用。
  • 通讯设备: 用于高频开关电路,以支持各类信号的高效传输。

四、总结

IRLR3105TRPBF 是一款高效能的 N 通道 MOSFET,通过其卓越的电气性能和广泛的应用范围,为设计工程师提供了更高的设计灵活性。其低导通电阻、优异的热管理特性以及适应恶劣环境的能力,使其成为高功率应用领域中的理想选择。无论是电源管理、马达控制还是汽车电子,IRLR3105TRPBF 都能够满足现代电子设计的各种需求,是高性能开关应用的可靠选择。