型号:

SMMBTA06LT1G

品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23-3
批次:2年内
包装:编带
重量:0.03g
其他:
-
SMMBTA06LT1G 产品实物图片
SMMBTA06LT1G 一小时发货
描述:三极管(BJT) 225mW 80V 500mA NPN SOT-23
库存数量
库存:
20063
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.544
200+
0.351
1500+
0.305
3000+
0.27
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)500mA
集射极击穿电压(Vceo)80V
功率(Pd)225mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@100mA,1V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)250mV@100mA,10mA
工作温度-55℃~+150℃

SMMBTA06LT1G 产品概述

基本概述

SMMBTA06LT1G是一款高性能的NPN型三极管,由知名电子元器件制造商ON Semiconductor(安森美)设计和生产。这款三极管专为各种应用场景而设计,能够满足现代电子设备对高效率、高频率和高温稳定性的需求。其优越的电气性能和稳定的工作特性使其在消费电子、汽车电子和工业控制等领域广泛应用。

主要特性

  1. 晶体管类型: SMMBTA06LT1G为NPN型晶体管,适用于放大和开关应用。
  2. 频率响应: 该器件的跃迁频率高达100MHz,能够实现快速的信号处理,对高频应用尤其合适。
  3. 工作温度范围: 其工作温度范围在-55°C到150°C之间,适合在极端环境下工作,确保系统长期稳定运行。
  4. 集电极电流: SMMBTA06LT1G的最大集电极电流(Ic)为500mA,满足大多数交直流负载的驱动需求。
  5. 功率处理能力: 最大功耗额定值达到225mW,适合多种功率需求的设计。
  6. 电流增益: 在Ic为100mA和Vce为1V的条件下,该三极管的直流电流增益(hFE)最小值为100,展现了良好的放大特性。
  7. 饱和压降: 在Ic为10mA和100mA时,其Vce饱和压降的最大值为250mV,保证了高效能的能量转换。
  8. 集电极截止电流: 该器件的集电极截止电流最高可达100nA,确保在关闭状态下泄漏电流极低,提高了系统的能效表现。
  9. 击穿电压: 最大集射极击穿电压为80V,提供额外的安全边际,适合在高电压环境下工作。
  10. 封装类型: SMMBTA06LT1G采用SOT-23-3封装,便于表面贴装,适合现代高密度电路板设计。

应用领域

由于其卓越的性能,SMMBTA06LT1G广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • 消费电子: 手机、平板电脑、音频设备等小型电子产品中的信号放大和开关电路。
  • 汽车电子: 在车辆的控制模块中用于信号处理和驱动应用,提高性能安全性。
  • 工业控制: 在自动化设备和控制系统中,用于控制电机、灯光和其它配件。
  • 通信设备: 在射频(RF)放大和调制解调设备中,提供高效的信号放大方案。

设计考虑

在选择SMMBTA06LT1G进行电路设计时,设计工程师应考虑以下几个方面:

  • 散热管理: 虽然其最大功率为225mW,但在高工作温度和高负载条件下,适当的散热设计可以避免过热现象。
  • 电源电压: 确保Vce不超过80V,以免造成击穿损坏。
  • 输入/输出阻抗: 根据电路的特性,选择合适的输入阻抗和输出负载,以实现最佳性能。
  • PCB布局: SOT-23-3封装要求良好的PCB布局设计,确保信号稳定性和电源完整性。

结论

SMMBTA06LT1G具有出色的电气性能,适用于多种高性能应用。无论是在快速信号处理、功率控制还是高温稳定性方面,这款NPN三极管均表现出色。通过合理的设计与应用,电子工程师可以充分发挥其在现代电子设计中的优势,提升产品的整体性能和可靠性。