描述：Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 93.6A; Idm: 200A
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
6.24
100+
5.2
750+
4.81
1500+
4.59
产品参数
属性参数值
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)93.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）4.8 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）81nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）3750pF @ 50V
功率耗散（最大值）104W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PowerPAK® SO-8
封装/外壳PowerPAK® SO-8
SIR668ADP-T1-RE3 产品概述
SIR668ADP-T1-RE3 是由 VISHAY（威世）公司生产的一款高性能 N 通道 MOSFET（场效应管），其采用先进的 TrenchFET® 技术，以提高效率和降低开关损耗。这种元器件专为高电压（最大漏源电压为 100V）和高电流（连续漏极电流可达 93.6A）应用而设计，适用于各种电源管理和功率转换的场景。
主要特性和规格
电气特性:
- 漏源电压（Vdss）: 100V. 该特性使得该MOSFET能够承受高电压应用，包括DC-DC转换和电机驱动等场合。
- 连续漏极电流（Id）: 93.6A（在 25°C 的散热条件下）。这表明该器件适合处理较大的电流负载，能够在高负载条件下稳定工作。
- 瞬态电流（Idm）: 最高可达 200A。该瞬态特性给予设计者较大的灵活性，在瞬态条件下能承受更高电流而不损坏。
导通电阻（Rds On）: 在 10V 的栅极驱动电压下，最大导通电阻为 4.8 毫欧（在 Id = 20A 的条件下），这意味着在工作时该器件的导通损耗极小，有助于提高系统整体效率，减少热量生成。
栅极控制:
- 驱动电压（Vgs）: 最小栅极驱动电压为 7.5V，最大为 10V，这使得它能适应多种驱动电压条件。
- 阈值电压（Vgs(th)）: 最大阈值电压为 4V @ 250µA，这保证了可以在较低的栅极电压下快速开启和关闭MOSFET。
电容特性:
- 输入电容（Ciss）: 最大值为 3750pF（在 50V 时），这有助于提高开关速度，适合高频率操作。
功耗与温度特性:
- 功率耗散（Pd）: 最大功率在 104W 时能够稳定工作，适应于高功率应用。
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C 的宽广温度范围，确保该器件在极端环境下也能可靠运作。
封装信息:
- SIR668ADP-T1-RE3 采用 PowerPAK® SO-8 表面贴装型封装，这种封装不仅能有效节省空间，还能通过较低的热阻特性提升散热性能，适用于自动化设备及高农场密度的应用设计。
应用场景
SIR668ADP-T1-RE3 适用于多种场合，包括但不限于:
- 高效 DC-DC 转换器
- 电动汽车及混合动力汽车的电源管理系统
- 太阳能逆变器
- IPM（智能功率模块）
- 计算机电源供应单元
总结
SIR668ADP-T1-RE3 是一款具备高性能、高效率且工艺先进的 N 通道 MOSFET，凭借其优越的导通电阻、高电流承载能力以及宽工作温度范围，成为多种高电压和高电流电源管理应用的理想选择。对于设计师来说，该器件不仅能够帮助他们在设计中实现更高的能效，还能提升系统的可靠性和稳定性，是现代电子应用中不可或缺的重要组件。