型号:

2SA1586-GR,LF

品牌:TOSHIBA(东芝)
封装:USM
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
2SA1586-GR,LF 产品实物图片
2SA1586-GR,LF 一小时发货
描述:三极管(BJT) 100mW 50V 150mA PNP SC-70
库存数量
库存:
0
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.675
200+
0.466
1500+
0.424
3000+
0.396
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)150mA
集射极击穿电压(Vceo)50V
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)70@2mA,6V
特征频率(fT)80MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)100mV@100mA,10mA
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:2SA1586-GR,LF

一、概述

2SA1586-GR,LF 是一款由东芝(TOSHIBA)制造的高性能 PNP 型三极管(BJT),广泛应用于低功耗电子电路中。该三极管可用于信号放大和开关应用,特别适合于便携式电子设备和电源管理电路。其优良的电气性能及小巧的表面贴装封装(SC-70, SOT-323)使其成为在空间有限的设计中广泛使用的理想选择。

二、基本参数

  • 类型:PNP 晶体管
  • 集电极电流(Ic)最大值:150mA
  • 集射极击穿电压(Vce)最大值:50V
  • 饱和压降(Vce sat):在10mA和100mA时最大值为300mV
  • 集电极截止电流(ICBO)最大值:100nA
  • 直流电流增益(hFE)最小值:200(在2mA、6V下测试)
  • 功率最大值:100mW
  • 跃迁频率:80MHz
  • 工作温度:125°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:USM

三、设计优势

  1. 高增益性能:2SA1586-GR,LF 在较低的基极电流下提供较高的集电极电流增益(hFE),使得其在放大应用中表现优异,尤其适用于小信号放大电路。

  2. 低饱和压降:最大饱和压降仅为300mV,即使在较大的负载电流下也保持较低的功耗,有助于提高整体电路的能效。

  3. 超小封装:SC-70封装极其小巧,适合在空间要求严格的应用中使用。其表面贴装设计简化了自动化生产工艺,提高了生产效率。

  4. 高温稳定性:工作温度范围可达125°C,使其在高温环境中依然能够稳定工作,适合于汽车电子和工业设备等苛刻环境。

  5. 频率响应良好:拥有高达80MHz的跃迁频率,支持高速开关应用。这一特性使其在射频和脉冲应用场合表现出色,满足高频信号处理的需求。

四、应用领域

2SA1586-GR,LF 在多个领域拥有广泛的应用:

  • 消费电子:如智能手机、平板电脑、音频设备等的音频放大和信号处理。
  • 电源管理:在开关电源和DC-DC转换器中用于功率开关应用,优化能量传输效率。
  • 汽车电子:用于低功耗电驱动系统和车载通信模块,提升汽车智能化水平。
  • 工业控制:在传感器、执行器及控制单元中,作为信号放大器和开关元件。

五、总结

2SA1586-GR,LF 结合了高增益、低功耗、出色的电气性能和可靠性,非常适合要求高效和紧凑设计的各类电路。其小巧的封装和宽广的应用范围使其成为电子设计工程师的优选元件。选择 2SA1586-GR,LF,将为您的电路设计带来卓越的性能和信赖的质量。