型号:

BUK9Y3R5-40E,115

品牌:Nexperia(安世)
封装:LFPAK56,Power-SO8
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BUK9Y3R5-40E,115 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 167W 40V 100A 1个N沟道 LFPAK56,Power-SO8
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11.4
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9.82
750+
9.36
1500+
9.04
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.6mΩ@25A,10V
功率(Pd)167W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.1V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)30.2nC@5V
输入电容(Ciss@Vds)5.137nF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

产品概述:BUK9Y3R5-40E,115

BUK9Y3R5-40E,115 是一款高效能的 N 通道 MOSFET,特别设计用于要求严格的功率控制和开关应用。作为安世(Nexperia)品牌的一部分,该器件凭借其优异的电气性能和出色的热管理能力,非常适合在多种工业和消费电子产品中使用。以下是该产品的详细介绍,包括其技术规格、应用领域以及优势。

技术规格

BUK9Y3R5-40E,115 的主要技术参数包括:

  • 类型: N 通道 MOSFET
  • 封装: LFPAK56,Power-SO8
  • 漏源电压(Vdss): 40V
  • 连续漏极电流(Id): 100A(Tc)
  • 驱动电压: 最小值为5V,最大值为±10V
  • 导通电阻(Rds On): 最大值为3.6毫欧,在25A和10V下
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)): 最大值2.1V @ 1mA
  • 栅极电荷(Qg): 最大值30.2nC @ 5V
  • 输入电容(Ciss): 最大值5137pF @ 25V
  • 功率耗散: 最大167W(Tc)
  • 工作温度范围: -55°C 到 175°C(TJ)

应用领域

BUK9Y3R5-40E,115 主要用于以下几个领域:

  1. 电力管理: 由于其高效率的导通电阻和大功率耗散能力,该MOSFET非常适合用于电力转换设备,例如DC-DC转换器。
  2. 电机驱动: 在大型电机控制和驱动电路中,其能够承受高漏电流,为各种类型的电机提供可靠的控制。
  3. 开关电源: 适合用于开关电源电路设计,其快速开关特性可以有效降低开关损耗,从而提高整体效率。
  4. 工业应用: 由于其高耐温性,使其在恶劣环境下仍可正常工作,广泛应用于工业控制领域。

性能优势

BUK9Y3R5-40E,115 具有多个显著的性能优势:

  • 低导通电阻: 在高电流下,保持低导通电阻能够减小功率损耗,提升电路效率。
  • 宽工作温度范围: 从-55°C 到 175°C 的广泛温度范围,确保该器件在极端环境下依然稳定工作。
  • 优秀的开关性能: 具备快速的开关特性,降低了开关过程中产生的热量,提高了整体系统的稳定性。
  • 良好的热管理: 最大功率耗散可达167W,表明器件具备强大的热管理能力,适合高功率应用。

结论

综上所述,BUK9Y3R5-40E,115 是一款出色的 N 通道 MOSFET,凭借其高性能规格和广泛的应用领域,成为电力电子设计中不可或缺的组件。无论是在电力管理、开关电源还是电机驱动应用中,该器件均能提供稳定和高效的表现。安世(Nexperia)作为供应商,通过长期的技术积累和成熟的制造工艺,为客户提供可靠的解决方案,助力场效应管技术在各行业中的持续发展与应用。