描述：场效应管(MOSFET) 1.7W；12.5W 20V 7.2A 1个P沟道 DFN2020-6
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产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)7.2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)22.5mΩ@7.2A,4.5V
功率(Pd)1.7W；12.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id)900mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)43.2nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)2.89nF@10V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
PMPB19XP,115 产品概述
产品简介
PMPB19XP,115 是由 Nexperia USA Inc. 制造的一款 P 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），它具有优异的性能指标，专为各种低功耗应用设计。凭借其紧凑的 DFN-2020MD-6 封装，PMPB19XP,115 在空间有限的电子设备中展现出极大的灵活性和高效性。
技术规格
- 类型：P 通道 MOSFET
- 通道状态：有源
- 封装类型：DFN-2020MD-6（6-UDFN 裸露焊盘）
- 工作温度范围：-55°C到150°C，适合高温和极端条件下的应用
- 漏源电压 (Vdss)：20V，适合一些低至中压的应用
- 25°C 时的连续漏极电流 (Id)：7.2A，使其在高负载条件下仍能保持稳定的性能
- 驱动电压：最大 Rds On 驱动电压分别为1.8V和4.5V，低驱动电压意味着更低的功率损耗。
- 电阻参数：在7.2A和4.5V时，导通电阻的最大值为22.5毫欧，意味着在导通状态下能耗非常小，极大提升了效率。
- 热性能：最大功率耗散为1.7W（环境温度下）和12.5W（结温下），有效的热管理可以确保在不同工作环境中的可靠性。
- 阈值电压 (Vgs(th))：最大值900mV @ 250µA，显示了其灵敏的开关特性。
- 栅极电荷 (Qg)：最大值为43.2nC @ 4.5V，栅极驱动所需的能量较少，提升了开关效率。
- 输入电容 (Ciss)：2890pF @ 10V，良好的电容特性确保了快速开关能力和降低开关损耗。
应用场景
PMPB19XP,115 的设计使其适用于广泛的电子产品和应用。这些应用包括但不限于：
便携式电子设备：由于其低功耗特性和高效能，该MOSFET非常适合用于手机、平板电脑和其他便携式设备中以优化电池使用效率。
电源管理：在电源转换和管理电路中，可以广泛应用于升降压转换器、稳定电源和负载开关，帮助提高整体能效。
驱动电路：其出色的开关特性使得 PMPB19XP,115 非常适合用于马达驱动和其他负载控制电路中.
汽车电子：因为具有宽广的工作温度范围，这款 MOSFET 适合在汽车电子设备中使用，包括动力分配、车载计算机及LED驱动等应用。
竞争优势
PMPB19XP,115 相比于同类产品具有多方面的优势，包括更低的导通电阻、更高的工作温度及出色的热管理性能，这使得其在高负荷和极端环境下的工作表现更为可靠。此外，紧凑的 DFN 封装设计进一步提升了集成度和空间利用率，使得它在严苛的设计要求下也能游刃有余。
结论
总的来说，PMPB19XP,115 是一款性能卓越、应用广泛的 P 通道 MOSFET，适合需要高效能以及节能解决方案的现代电子设计。无论是在便携式设备还是更复杂的电源管理系统中，PMPB19XP,115 都能显著提升系统的整体性能与稳定性，它的引入不仅能够增强产品的性能，还能为客户提供更具竞争力的市场优势。