型号:

BUK7K8R7-40EX

品牌:Nexperia(安世)
封装:LFPAK56D
批次:-
包装:编带
重量:1g
其他:
BUK7K8R7-40EX 产品实物图片
BUK7K8R7-40EX 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 53W 40V 30A 2个N沟道 SOT-1205
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最小包:1500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
6.37
100+
5.31
750+
4.83
1500+
4.63
产品参数
属性参数值
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8.5mΩ@10V,15A
功率(Pd)53W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)21.8nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.439nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)204pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

产品概述:BUK7K8R7-40EX

概述

BUK7K8R7-40EX是Nexperia(安世)公司所生产的一款高性能N沟道场效应管(MOSFET)。该器件主要应用于电源管理与转换、开关供电、马达驱动等领域,因其出色的电气特性和广泛的工作温度范围,使其成为现代电子设备中不可或缺的组成部分。

关键参数

  • FET 类型:双N-通道
  • 漏源电压(Vdss):40V
  • 连续漏极电流(Id):25°C时最大30A
  • 导通电阻(Rds(on)):最大8.5毫欧(在15A,10V时)
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)):最大4V @ 1mA
  • 栅极电荷(Qg):最大21.8nC @ 10V
  • 输入电容(Ciss):最大1439pF @ 25V
  • 功率最大值:53W
  • 工作温度范围:-55°C到175°C
  • 封装类型:SOT-1205,LFPAK56D表面贴装型

电气特性

BUK7K8R7-40EX的电气性能在各类应用中表现突出。最大漏源电压为40V,允许在高压场合中安全运行。其功率处理能力高达53W,以及在25°C时连续漏极电流为30A,使其能够处理大功率应用而不易损坏或过热。此外,器件的导通电阻(Rds(on))为8.5毫欧,意味着在导通状态下的能量损耗低,从而提高了系统的整体效率。

器件的栅极阈值电压(Vgs(th))为4V,适用于逻辑电平驱动,这使得BUK7K8R7-40EX可以直接与微控制器等数字电路相连接,简化了电路设计。其栅极电荷(Qg)为21.8nC,表明其开关速度较快,有助于提升整个电路的响应速度。

热特性

BUK7K8R7-40EX具有优异的热稳定性,其工作温度范围达到-55°C至175°C,这使得该器件可在极端环境下正常工作,非常适合高温或低温的工业应用。

封装与安装

BUK7K8R7-40EX采用LFPAK56D封装,属于表面贴装型(SMD),具有优良的散热性能。这种封装设计小巧且易于在自动化生产线上快速安装,适用于高密度组装的现代电子产品。

应用领域

BUK7K8R7-40EX能广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  1. 电源管理:DC-DC转换器、PFC电路、高效率电源适配器。
  2. 马达驱动:用于控制直流电机和步进电机的驱动电路。
  3. 开关电源:在AC-DC及DC-DC转换器中作为功率开关。
  4. 汽车电子:在汽车电源管理及驱动系统中的应用,提供高可靠性和耐高温性能。

结论

作为一款高性能的双N-通道MOSFET,BUK7K8R7-40EX凭借其优异的电气特性、广泛的工作温度范围以及紧凑的封装设计,成为各种电子设计中的理想选择。这款MOSFET不仅能有效提升电子设备的能效,还有助于提高系统的整体可靠性和稳定性,满足现代电子设计对高性能元件的需求。