型号:

BUK7K89-100EX

品牌:Nexperia(安世)
封装:LFPAK56D-8
批次:-
包装:-
重量:1g
其他:
BUK7K89-100EX 产品实物图片
BUK7K89-100EX 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 38W 100V 13A 2个N沟道 SOT-1205
库存数量
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最小包:1500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
4.54
100+
3.79
750+
3.44
产品参数
属性参数值
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)13A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)82.5mΩ@10V,5A
功率(Pd)38W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)13.6nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)811pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)70pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

BUK7K89-100EX 产品概述

一、产品基本信息

BUK7K89-100EX 是由 Nexperia USA Inc. 制造的一款高性能场效应管(MOSFET),采用 SOT-1205 封装,具有出色的电气性能,特别适合在需要高电压和大电流的应用中使用。这款 2 N-通道 MOSFET 的最大漏源电压为 100V,额定连续漏极电流为 13A,可为各种电子设备提供可靠的电源管理解决方案。

二、产品规格

BUK7K89-100EX 具有一系列重要的技术参数,使其能够在严苛的工作环境中稳定运行:

  • 漏源电压(Vdss): 最高可达到 100V,这使得该元器件非常适合高压应用。
  • 连续漏极电流(Id): 在 25°C 条件下,BUK7K89-100EX 可以连续承载 13A 的电流,这对于功率放大器和电源管理电路尤为重要。
  • 导通电阻(RDS(on)): 在 5A 和 10V 的条件下,导通电阻最大为 82.5mΩ,这象征着该元器件在导通状态下的能量损耗极小,有助于提高整体电路的效率。
  • 阈值电压(Vgs(th)): 该值在 1mA 时的最大值为 4V,确保在较低的栅压下即可开启。
  • 栅极电荷(Qg): 在 10V 下,栅极电荷的最大值为 13.6nC,表明在开关操作中需要的驱动能量较小,有助于更快速地切换。
  • 输入电容(Ciss): 在 25V 下最大为 811pF,较低的输入电容使得器件能够在快速的开关应用中表现出色。
  • 功率最大值: 该 MOSFET 的最大功率为 38W,适用于需要高功率的应用场景。
  • 工作温度范围: BUK7K89-100EX 能够在 -55°C 到 175°C 的环境温度下正常工作,具备出色的热稳定性,适用于极端条件下的应用。

三、封装与安装

BUK7K89-100EX 采用 LFPAK56D-8 封装,支持表面贴装式安装。这种封装设计不仅在尺寸上节省了空间,同时也优化了散热性能。使得该元器件适合各种紧凑型电子设备,尤其是在现代微型化设计中尤为重要。此外,抗热性和机械耐用性使得该产品能承受在复杂工业环境中可能遇到的各种影响。

四、应用领域

BUK7K89-100EX 适合于多个应用领域,包括但不限于:

  1. 电源管理: 作为高效开关元件应用于电源转换器、电源适配器和开关电源中。
  2. 电机驱动: 在工业电机驱动和各种自动化设备中,承担高效能开关和控制任务。
  3. 汽车电子: 由于其广泛的工作温度范围与可靠性,适合应用于汽车电气系统中,如电动助力转向、动力总成控制等。
  4. 消费电子: 用于音响设备的放大器电路、LED照明及其他多种智能家居产品中。

五、总结

总之,BUK7K89-100EX 是一款高可靠性、高性能的 N 通道 MOSFET,能够满足现代电子系统对高电压、大电流的需求。其低导通电阻、快速开关特性以及宽工作温度范围,使其不仅在消费电子领域有广泛应用,也能在工业控制和汽车电子等领域提供有效支持。凭借可靠的技术参数和灵活的安装方式,BUK7K89-100EX 成为设计师在选择高效MOSFET时的理想选择。