型号:

PMDPB56XNEAX

品牌:Nexperia(安世)
封装:DFN-2020D-6
批次:-
包装:-
重量:1g
其他:
PMDPB56XNEAX 产品实物图片
PMDPB56XNEAX 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 485mW 30V 3.1A 2个N沟道 SOT1118
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最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.64
100+
1.31
750+
1.16
1500+
1.1
产品参数
属性参数值
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)3.1A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)55mΩ@4.5V,3.1A
功率(Pd)1.15W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.25V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)2.9nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)256pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)23pF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

PMDPB56XNEAX 产品概述

产品概述

PMDPB56XNEAX 是由 Nexperia USA Inc. 制造的一款高性能双 N-通道 MOSFET。该元件采用 DFN-2020D-6 表面贴装封装,专为需要高效电源管理和电路驱动的各种电子应用设计。凭借其卓越的电气性能和广泛的工作温度范围,PMDPB56XNEAX 在现代电子产品中具有很大的应用潜力。

主要特性

  1. 电气性能

    • 漏源电压(Vdss): 该MOSFET支持高达30V的漏源电压,为许多应用提供了充足的电压头room。
    • 连续漏极电流 (Id): 在25°C的环境下,PMDPB56XNEAX 能够承受最高3.1A的连续漏极电流,适用于各种电流需求的应用。
    • 导通电阻 (Rds(on)): 在3.1A和4.5V的条件下,其最大导通电阻仅为72毫欧,这有助于降低功耗和提升系统的整体效率。
  2. 阈值电压和栅极电荷

    • PMDPB56XNEAX 的栅极阈值电压(Vgs(th))最大为1.25V(在250µA下测试),确保该元件在较低的栅压下就能开启,提升了驱动的效率。
    • 栅极电荷(Qg)最大为5nC(在4.5V下测试),为其快速开关能力奠定了基础,使其适合于高频驱动和开关应用。
  3. 输入电容

    • 该MOSFET的输入电容(Ciss)最大为256pF(在15V下测试),其较低的输入电容有助于减少开关延迟,提高系统响应速度。
  4. 功率耗散

    • PMDPB56XNEAX 的最大功率耗散为485mW(在25°C环境温度下),保证了元件在高负载条件下的可靠性。
  5. 工作温度

    • 具备宽广的工作温度范围,从-55°C至150°C,适用于严酷的工作环境,确保在苛刻条件下长时间稳定运行。
  6. 封装与安装

    • 采用6-UDFN 裸露焊盘封装,极大地减少了PCB的占用空间,同时也简化了安装工序,适合现代薄型电子产品的设计需求。

应用场景

PMDPB56XNEAX 适用于多个领域和应用场景,包括但不限于:

  • 电源转换: 特别适合于开关电源、DC-DC转换器等电源管理模块,提供高效的电流开关控制。
  • 电机驱动: 由于其优秀的开关特性,PMDPB56XNEAX 可以有效驱动各种类型的小型电机,广泛应用于家电和工业自动化领域。
  • 负载开关: 在负载控制电路中,PMDPB56XNEAX 可作为高效的开关元件,提供可靠的负载连接与断开。
  • 便携式设备: 小型封装与低功耗特点使其非常适合便携式消费电子产品,如智能手机、笔记本电脑和便携式音响等。

结论

PMDPB56XNEAX 是一款高效、可靠的双 N-通道 MOSFET,凭借其优越的电气性能、宽温范围和紧凑封装,成为科学与工程领域设计师和工程师的理想选择。无论是在电源管理、电机驱动还是负载控制应用中,PMDPB56XNEAX 都能够满足高标准的性能需求,助力各种电子产品的创新与发展。对于寻求高效能解决方案的设计者,PMDPB56XNEAX 将是一个极具竞争力的选择。