型号:

BUK7K6R2-40EX

品牌:Nexperia(安世)
封装:LFPAK56D
批次:-
包装:编带
重量:0.12g
其他:
BUK7K6R2-40EX 产品实物图片
BUK7K6R2-40EX 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 68W 40V 40A 2个N沟道 SOT1205
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最小包:1500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
6.8
100+
5.86
750+
5.58
1500+
5.39
产品参数
属性参数值
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5.8mΩ@10V,20A
功率(Pd)68W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@1mA

BUK7K6R2-40EX 产品概述

BUK7K6R2-40EX 是由 Nexperia(安世半导体)公司推出的一款高性能 N-通道 MOSFET,广泛应用于电源管理、汽车电子、工业控制及其他高效能电路中。它具有出色的导电性能和耐高温特性,旨在支持苛刻的工作环境,并提供稳健的电流处理能力。

主要特点

  1. 电压与电流处理能力

    • BUK7K6R2-40EX 的最大漏源电压(Vdss)为 40V,适合在中等电压场合使用。
    • 它支持高达 40A 的连续漏极电流(Id),使其能够在多种应用中表现出色,尤其是在需要高电流驱动的场合。
  2. 导通电阻

    • 在 20A、10V 的偏置电压条件下,导通电阻的最大值仅为 5.8 毫欧。这一低导通电阻特性能够显著降低电能损耗,提高整体系统效率,特别适合电源转换和传输应用。
  3. 栅极阈值电压

    • BUK7K6R2-40EX 的栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为 4V(@1mA),表明相对较低的栅极信号即可触发 MOSFET 导通,简化了驱动电路设计。
  4. 栅极电荷和输入电容

    • 栅极电荷(Qg)在 10V 时的最大值为 32.3nC,而输入电容(Ciss)在 25V 下的最大值为 2210pF。这些参数对开关性能和速度影响显著,因而在频率较高的应用场合,同样能够保证良好的性能。
  5. 封装和安装方式

    • BUK7K6R2-40EX 采用 LFPAK56D 封装,具有优越的散热性能和空间利用率,特别适合表面贴装(SMD)的应用设计,有助于设计紧凑、集成度高的电路板。
  6. 工作温度范围

    • 该元件设定的工作温度范围为 -55°C 到 175°C,使其能够在极端环境中稳定运行,满足汽车等行业对高温及低温的严格要求。

应用场景

BUK7K6R2-40EX 由于其高性能和可靠性,被广泛应用于诸如:

  • 电源管理:如 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器等,能够有效降低能量损耗,提高系统效率。
  • 电动汽车和混合动力汽车:高功率和高效率的必备元器件,用于电机驱动和电池管理系统。
  • 工业设备:适用于需要快速开关和高功率驱动的工业控制电路。
  • 再生能源系统:在太阳能和风能逆变器应用中,能有效提升能量转换效率。

结论

BUK7K6R2-40EX MOSFET 是一款结合高效率、低损耗、优越散热性能和广泛适用性的高端元器件,非常适用于要求苛刻的电源系统和高频开关电路。凭借其出色的电气性能和可靠性,它为设计人员提供了在现代电子设计中实现卓越性能解决方案的可能性。无论是在消费电子、汽车、还是工业自动化领域,BUK7K6R2-40EX 都能够满足各种需求,是高性能电路设计的理想选择。