描述：场效应管(MOSFET) 1.8W；12.5W 30V 10A 1个N沟道 DFN2020-6
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)14A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)12mΩ@9A,10V
功率(Pd)1.8W；12.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)20.6nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)840pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)65pF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
PMPB10ENZ 产品概述
一、产品简介
PMPB10ENZ 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），采用 DFN2020MD-6 封装，是一种理想的选择，用于多种高效能开关和放大应用。该 MOSFET 除了具备优异的电气性能外，还具备高工作温度范围及显著的热管理能力，使其适应更为苛刻的工作环境。
二、关键规格参数
电流和电压特性
- 漏极电流 (Id): 在 25°C 下，PMBP10ENZ 可承受高达 10A 的连续漏极电流，展现出优秀的电流承载能力。
- 漏源电压 (Vdss): 该 MOSFET 的漏源电压可达 30V，为其在中等电压应用中提供了良好的安全裕度。
导通电阻
- 该设备在 10V 的栅压下，以 9A 的电流工作时，最大导通电阻 (Rds(on)) 为 12 毫欧，显示了其低功耗特性，有效降低了热损耗和提升了系统效率。
驱动电压
- PMPB10ENZ 在 4.5V 和 10V 驱动下仍能够保持良好的性能，适应不同的驱动电路要求。这使得它对驱动电压选择灵活，为工程师设计电源管理或开关电源电路提供了便利。
温度范围
- 该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，这使其能够在极端环境下稳定工作，非常适合军工、航空航天以及工业领域的严苛应用。
功率耗散
- PMPB10ENZ 的最大功率耗散为 1.8W (以环境温度为基准) 和 12.5W (以壳体温度为基准)，这为高功率应用提供了极大的灵活性及热管理能力。
栅极特性
- 最大栅极电荷 (Qg) 为 20.6nC @ 10V，输入电容 (Ciss) 最大值为 840pF @ 15V。这些特性使得 PMPB10ENZ 在开关频率较高的应用中，具备较低的开关损耗。
三、应用场景
PMPB10ENZ 的设计使其适用于多种应用场景，包括但不限于：
- DC-DC 转换器: 由于其低导通电阻和高抗压性能，PMBP10ENZ 可以有效地用于高效的 DC-DC 转换电路中，提升转换效率。
- 电池管理系统: 其宽工作温度范围和高导电能力，使其非常适合用于电池管理系统中，确保电池充放电过程中安全与效率。
- 电机驱动: 在电机驱动电路上，使用 PMPB10ENZ 可以实现高效的开关控制并降低热损耗，从而提高电机性能。
- 充电器与适配器: 由于其护电能力和低功耗特性，PMPB10ENZ 也广泛应用于各种充电器和适配器中，确保系统稳健运行。
四、总结
PMPB10ENZ 是一款高效能的 N 通道 MOSFET，非常适合高电流和高电压的多种应用。凭借其严苛的性能指标、宽泛的工作温度范围及优化的热管理能力，该元件可以帮助电子设计师在现代电子设备中实现更高的效率和可靠性。无论是工业应用、消费电子，还是高性能计算，PMPB10ENZ 都是工程师们值得信赖的解决方案。