型号:

PDTB113ET,215

品牌:Nexperia(安世)
封装:SOT-23-3
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包装:-
重量:-
其他:
-
PDTB113ET,215 产品实物图片
PDTB113ET,215 一小时发货
描述:普通三极管 PDTB113ET/SOT23/TO-236AB
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最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.382
200+
0.246
1500+
0.214
产品参数
属性参数值
制造商Nexperia USA Inc.
包装卷带(TR)
零件状态有源
晶体管类型PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)33 @ 50mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA
安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装TO-236AB
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基极 (R1)1 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)1 kOhms
功率 - 最大值250mW
基本产品编号PDTB113

产品概述:PDTB113ET/SOT23/TO-236AB

概述

PDTB113是一款由Nexperia USA Inc.生产的高性能PNP型预偏压晶体管。该器件专为表面贴装(SMD)应用而设计,采用小巧的SOT-23-3封装,符合TO-236AB标准,适用于各种电子设备中电流放大和开关应用。凭借其优越的电气特性和高集成度,PDTB113成为了在移动设备、消费电子、工业控制及自动化等领域的理想选择。

关键特性

  1. 晶体管类型:PDTB113是一款PNP型晶体管,能够有效地控制电流,满足多种电路设计需求。
  2. 电流增益:在特定条件下(例如,集电极电流Ic为50mA且Vce为5V时),DC电流增益(hFE)可以达到最小值33。这表明该晶体管在提供足够的放大作用的同时,表现出较小的功耗。
  3. 低饱和压降:在集电极电流为50mA和基极电流为2.5mA时,Vce饱和压降的最大值仅为300mV。这使得PDTB113在处理较大电流时能有效降低功耗和热量,提升整体效率。
  4. 高集电极电流:该器件的最大集电极电流(Ic)可达500mA,适用于负载较大的应用。
  5. 集电极截止电流:在最大集电极截止电流条件下,设备表现出低达500nA的截止电流,确保电路的低噪声和高可靠性。
  6. 电压耐受能力:其最大集射极击穿电压(Vce)达到50V,提供了良好的抗干扰能力,适合于高电压应用。

应用场景

PDTB113在各种应用中表现出色,主要包括:

  • 音频信号放大器:可以用于音频设备中的信号放大,以增强音频质量和信号强度。
  • 开关电路:该晶体管可以作为开关元件使用,控制电源的打开与关闭,广泛应用于继电器驱动和灯光控制。
  • 电子开关:用于需要快速切换的电路,满足自动化及智能控制需求。
  • 信号处理:在RF应用和其他信号处理电路中,可用于信号的调制与解调。

设计和封装

PDTB113采用小型SOT-23-3封装(TO-236AB),提供紧凑的安装尺寸,适合空间有限的电子设计。其卷带(TR)包装形式便于自动化设备的贴装,提升生产效率,降低人工成本。

结论

作为一种高度集成的PNP型晶体管,PDTB113在多个方面展现了出色的性能。其适用范围广泛,便于设计者在现代电子产品中实现更小的体积和更高的性能输出。无论是用于专业的工业应用,还是日常消费电子,PDTB113都能满足客户对高效、低功耗和小型化的需求,展现出非凡的市场竞争力。