型号:

PMN100EPAX

品牌:Nexperia(安世)
封装:SC-74,SOT-457
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
PMN100EPAX 产品实物图片
PMN100EPAX 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 7.5W;660mW 60V 2.5A 1个P沟道 TSOP-6
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.72
100+
1.37
750+
1.22
1500+
1.15
3000+
1.1
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)2.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)100mΩ@10V,2.5A
功率(Pd)660mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.9V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)616pF@30V
反向传输电容(Crss@Vds)26pF@30V
工作温度-55℃~+175℃

PMN100EPAX 产品概述

一、基本信息

PMN100EPAX 是一款由 Nexperia USA Inc. 制造的高性能 P 通道场效应管(MOSFET),属于其汽车级产品系列,符合 AEC-Q101 标准,确保满足汽车电子应用的高可靠性与安全性要求。该 MOSFET 采用 TrenchMOS™ 技术,具备优异的导通性能和低耗散特性,适合于各种高效率的电源管理和开关电路应用。

二、核心参数

  1. 工作特性

    • 漏源电压(Vdss):该器件能承受高达 60V 的漏源电压,使其在较高电压环境下工作时仍保持良好的性能。
    • 连续漏极电流(Id):在 25°C 环境下,该 MOSFET 支持最大 2.5A 的连续漏电流,广泛适用于电流控制和开关应用。
  2. 导通电阻与门极电压

    • 在驱动电压为 10V 时,器件的导通电阻(Rds On)最大可达到 130 毫欧,确保在高电流流经时仍能保持低功耗,减少热量产生。
    • 该器件的门阴极阈值电压(Vgs(th))最大为 3.2V(@ 250µA),有助于在低电压驱动条件下实现快速开关行为。
  3. 功耗与热管理

    • PMN100EPAX 的最大功率耗散能力为 660mW(Ta),在高环境温度(Tc)时可达到 7.5W,展现出良好的热稳定性与散热能力,适合严苛的工作环境。
  4. 温度范围

    • 本产品能在-55°C 至 175°C 的广泛工作温度范围内可靠运行,使其适合多种应用场合,尤其是汽车及工业领域的极端条件应用。

三、封装和安装

PMN100EPAX 采用SC-74(SOT-457)封装形式,支持表面贴装(SMD)安装。这种小型化的封装设计有效节省了电路板的空间,同时方便集成在现代微型化电子产品中。

四、应用领域

因其电气特性和高温可工作能力,PMN100EPAX 特别适合如下应用:

  1. 汽车电子:在汽车供电系统的开关控制、能量管理以及电动机控制等方面均展现出良好性能。
  2. 电源管理:适用于 DC-DC 转换器、逆变器和电池管理系统中的开关元件。
  3. 工业控制:在自动化设备、工控设备中,提供高效的电源切换。
  4. 消费电子:适用于智能手机、平板电脑等便携式设备的电源管理和控制电路。

五、综合评价

PMN100EPAX 是一款结合了高电流、高电压和广泛温度范围的 P 通道 MOSFET,具有低导通阻抗和高功率耗散能力,特别适合在危险的极端环境下使用。凭借其可靠的性能和优异的热管理特性,广泛应用于汽车、工业和消费电子领域,为设计师在进行高效、安全的电源管理方面提供了更为理想的解决方案。Nexperia 在 MOSFET 生产领域的丰富经验和创新的设计理念,使得 PMN100EPAX 成为市场上具有竞争力的产品之一。