型号:

BUK7J1R4-40HX

品牌:Nexperia(安世)
封装:LFPAK56,Power-SO8
批次:-
包装:-
重量:0.134g
其他:
BUK7J1R4-40HX 产品实物图片
BUK7J1R4-40HX 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 395W 40V 120A 1个N沟道 LFPAK56E-4
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
13.5
100+
12.26
750+
11.92
1500+
11.63
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)190A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.4mΩ@10V,25A
功率(Pd)395W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3.6V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)103nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)7.61nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)524pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

BUK7J1R4-40HX 产品概述

一、产品简介

BUK7J1R4-40HX 是 Nexperia(安世)公司推出的一款高性能 N 通道 Mosfet(场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动、以及其他高电流和高电压的功率控制场合。该产品的设计充分考虑了现代电子设备对高效率、高密度和高可靠性的需求,因此在工业、消费电子及汽车电子等领域具有广泛的应用前景。

二、基本参数

BUK7J1R4-40HX 的关键参数如下:

  • FET 类型:N 通道 MOSFET
  • 漏源电压(Vdss):最高 40V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):最高 120A
  • 驱动电压(Vgs):10V
  • 导通电阻(Rds(on)):@ 25A,10V 时最大值为 1.4 毫欧
  • 阈值电压(Vgs(th)):@ 1mA,最大值为 3.6V
  • 栅极电荷(Qg):@ 10V,最大值为 126nC
  • 输入电容(Ciss):@ 25V,最大值达到 8155pF
  • 功率耗散(Pd):最高达 395W (在环境温度 Ta 下)
  • 工作温度范围:-55°C 至 175°C (TJ)
  • 封装形式:LFPAK56,Power-SO8,适合进行表面贴装。

三、功能与应用

BUK7J1R4-40HX 的高额定电流和低导通电阻使其在高频、低损耗的电力管理方面表现尤为突出。具体应用如下:

  1. 开关电源:采用该 MOSFET 可以提高开关频率,降低功率损耗,进而提高整体能效。

  2. DC-DC 转换器:适合用于多种 DC-DC 转换拓扑,能够有效转换电压和电流,保证系统稳定工作。

  3. 电机驱动:在电动车及家用电器的电机驱动中,使用 BUK7J1R4-40HX 可以实现高效驱动和控制,延长电机使用寿命。

  4. 电源管理:结合微控制器和其他功能单元使用,可用于智能电源管理系统,实现精确的功率调节。

  5. 汽车电子:考虑到其宽工作温度范围和耐高压特性,特别符合现代汽车对高可靠性电子元器件的需求。

四、技术优势

BUK7J1R4-40HX 的技术优势体现在几个方面:

  1. 高效率:低 Rds(on) 值促进了较低的导通损耗,从而提升了整体电源系统的效率。

  2. 高功率密度:395W 的功率耗散能力使其在许多高功率驱动应用中成为理想选择,为设计师提供了更大的设计灵活性。

  3. 广泛的工作温度范围:-55°C 至 175°C 的工作温度范围使其特别适合于严苛的工作环境,包括工业和汽车领域。

  4. 优异的可靠性:高品质的材料与制造工艺保证了产品的长期稳定性和可靠性,减少了维护和更换成本。

五、总结

BUK7J1R4-40HX 是一款兼具高性能与高可靠性的 N 通道 MOSFET,凭借其低导通电阻、高功率密度和广泛的工作温度范围,适用于多种高负载与高频率应用。Nexperia (安世) 的专业技术和优良品质使得这一产品在市场中占有一席之地,为设计师提供了一种高效、可靠的选择。在面对现代电子设备日益严苛的性能需求时,BUK7J1R4-40HX 将是您理想的选择。