型号:

PBSS5160DS,115

品牌:Nexperia(安世)
封装:SC-74-6
批次:-
包装:-
重量:1g
其他:
PBSS5160DS,115 产品实物图片
PBSS5160DS,115 一小时发货
描述:三极管(BJT) 420mW 60V 770mA PNP SOT-457
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.3
100+
1
750+
0.834
1500+
0.758
3000+
0.703
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)60V
功率(Pd)370mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@1A,5V
特征频率(fT)150MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)250mV@1A,100mA
工作温度-65℃~+150℃

产品概述:PBSS5160DS,115

PBSS5160DS,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 PNP 晶体管,广泛应用于各种电子电路中。该器件以其卓越的电气性能和实用性,成为了许多设计项目的首选。

基本参数

PBSS5160DS,115 属于晶体管(BJT)类型,具备以下重要参数:

  • 最大集电极电流 (Ic): 770mA,这使得该三极管能够在较大的电流条件下稳定工作,适合用于大功率放大和开关应用。
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 60V,这为设计人员提供了良好的安全边际,确保在高电压环境下工作时的可靠性。
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 在不同的集电极电流和基极电流情况下,最大饱和压降为 330mV @ 100mA 和 1A。这一特性意味着在高电流工作时,PBSS5160DS,115 将产生较低的功率损耗,有助于提高电源效率。
  • 直流电流增益 (hFE): 最小值为 150 @ 500mA 和 5V,确保在大电流驱动条件下,具备良好的放大能力。

功率及频率特性

该三极管的最大功率为 420mW,适合多种中小功率电路应用。同时,PBSS5160DS,115 的跃迁频率为 185MHz,意味着其在高频应用中表现良好,可以满足现代高速电子设备的需求。

工作环境

PBSS5160DS,115 的工作温度可达 150°C(结温),适应性极强,适用于高温环境的应用,如汽车电子和工业设备。这一特性同样使得该器件在耐久性和可靠性方面具有优势。

封装与安装

该产品实施了表面贴装型设计,采用 SC-74(SOT-457)封装,具有紧凑的外形与轻便的重量,适合空间受限的应用环境。采用卷带包装(TR)可实现自动化贴装,进一步提高生产效率。

应用场景

PBSS5160DS,115 可广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • 开关电源:由于其较高的集电极电流和低饱和压降,适合用于高效的开关电源设计。
  • 功率放大器:可在音频放大、射频放大等场合中使用,提供高增益和低失真。
  • 信号调理:在各种传感器和信号处理电路中,能够高效放大微弱信号。
  • 驱动电路:在驱动LED、继电器、马达等负载的开关电路中表现优异。

总结

PBSS5160DS,115 是一款高性能的 PNP 晶体管,凭借其卓越的电气特性、高温工作能力和紧凑的封装设计,适合用于多种电路应用。其在开关电源、功率放大器和信号调理等领域展现出强大的实用性,能够满足现代电子工程师的各类需求。对于追求高效率和高度可靠性的电子设计项目,PBSS5160DS,115 无疑是一个理想的选择。