描述：场效应管(MOSFET) 360mW 60V 450mA 1个N沟道 SOT-883
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)450mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.6Ω@10V,500mA
功率(Pd)360mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.1V@250uA
2N7002BKM,315 产品概述
1. 产品简介
2N7002BKM,315是一款高性能的N通道MOSFET场效应管，专为低电压、大电流应用而设计，适用于多种电子电路和系统。基于其优异的电气特性和紧凑的封装设计，2N7002BKM,315可广泛应用于开关电源、信号放大、负载驱动等场合，满足现代电子设备对功耗、效率和占用空间的苛刻要求。
2. 基本参数
- FET类型: N通道MOSFET
- 漏源电压（Vdss）: 60V
- 连续漏极电流 (Id): 450mA (在25°C环境下)
- 最大Rds On: 1.6Ω @ 500mA, 10V
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 2.1V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg): 0.6nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss): 50pF @ 10V
- 最大功率耗散: 360mW (在25°C环境下)
- 工作温度范围: 高达150°C（TJ）
- 封装类型: DFN1006-3 / SOT-883
- 驱动电压: ±20V
3. 应用场景
2N7002BKM,315广泛应用于以下几个领域：
- 开关电源：在DC/DC转换器中，作为开关器件使用，以提高转换效率。
- 负载驱动：可用于驱动电机、继电器等大功率负载，凭借其高电流能力，可以有效控制电路中的功率。
- 信号放大：能够在小信号放大器中使用，以提供增强的信号放大效果。
- 数模转换：在数字电路和模拟电路之间作为开关使用，确保数据处理的灵活性与高效性。
4. 性能优势
- 低导通电阻：1.6Ω的最大导通电阻确保了在开关工作状态下的低功耗和高效率，降低了电源损耗。
- 高度集成的封装：DFN1006-3的紧凑型设计使得其非常适合高密度电路板，极大地节省了空间。
- 高工作温度能力：150°C的工作温度范围确保了元器件在恶劣环境下的长期稳定运行，适应多种工业应用需求。
- 灵活的栅极驱动电压：±20V的栅极电压使得该元件能够方便地与多种控制电路相连接，提供更好的兼容性和灵活性。
5. 安全性与可靠性
2N7002BKM,315在设计时注重了安全性和可靠性。MOSFET的结构使得其具有较强的抗磨损能力，尤其是在高频应用下。同时，它的过电流和过温特性确保了在极端条件下也能安全工作，降低了电路损坏的风险。
6. 结论
作为一款性能优异的N通道MOSFET，2N7002BKM,315在电力管理和信号处理领域展现了其不可或缺的地位。其高电流能力、极低的导通电阻和灵活的封装设计使其成为许多现代电子应用中首选的解决方案。考虑到其所有技术参数和应用灵活性，2N7002BKM,315无疑是寻求高效、可靠的开关电源和负载管理方案设计工程师的理想选择。