BUK9M19-60EX

产品概述：BUK9M19-60EX N通道MOSFET

一、基本信息

BUK9M19-60EX是一款由Nexperia（安世半导体）推出的高性能N通道MOSFET，专为各种需要高效率和可靠性的电子应用而设计。该产品具有持续的漏极电流能力高达38A和漏源电压最高可达60V，符合现代电子设备对高功率和高电压应用的需求。

二、主要规格参数

1. FET类型与技术：BUK9M19-60EX是一款N通道MOSFET，采用金属氧化物半导体技术（MOSFET）。此类器件以其优异的导通特性和快速切换能力，在开关电源、直流-直流转换器及电机控制等应用中表现卓越。

2. 电气特性：

   • 漏源电压（Vdss）：最大60V，适合高电压的应用场景。
   • 连续漏极电流（Id）：在25°C时可持续输出38A，提供强大的输出能力。
   • 导通电阻（Rds On）：在10A、10V时的最大导通电阻为17毫欧，确保低功耗和高效率。
   • 栅-源阈值电压（Vgs(th)）：在1mA时的最大阈值电压为2.1V，适用于低电压驱动的场合。

3. 驱动与开关特性：

   • 驱动电压：在最大Rds On和最小Rds On下，驱动电压为5V，便于与常用的逻辑电平兼容。
   • 栅极电荷（Qg）：在5V时最大栅极电荷为13.8nC，极低的栅极电荷值使得BUK9M19-60EX在高频开关应用中具备快速的响应时间。

4. 输入与输出特性：

   • 输入电容（Ciss）：在25V时最大输入电容为1814pF，表明在高频操作下其良好的信号接收能力。
   • 功率耗散：该器件的最大功耗能力可达62W（在冷却条件下），意味着在合理的散热设计下，可以处理较高的功率。

5. 工作环境：

   • 工作温度范围：BUK9M19-60EX可以在-55°C至175°C的广泛工作温度范围内稳定工作，适应各种恶劣环境，极为适合航空航天、汽车及工业控制等应用。

三、封装与安装特性

BUK9M19-60EX采用SOT-1210（8-LFPAK33）封装，属于表面贴装型（SMD），这使得其在PCB布局中能够节省空间并提高生产效率。LFPAK33封装还具有良好的散热性能，能够确保器件在高功率条件下的稳定工作。

四、应用领域

BUK9M19-60EX广泛应用于以下领域：

• 开关电源：在电源管理和转换器设计中用于提升能效。
• 电动汽车与电机控制：通过高效的电流开关来优化电能的使用。
• 消费电子：如计算机电源、充电器等以实现高效能耗。
• 工业设备：用于故障保护和电流切换的关键元件。

五、总结

BUK9M19-60EX凭借其高电流承受能力、低导通电阻和宽工作温度范围，在N通道MOSFET中为高性能电路设计提供了一种可靠的解决方案。无论是在电源管理、驱动电机还是高频开关应用中，其优越的性能使其成为设计工程师的理想选择。Nexperia作为行业领导者，确保了BUK9M19-60EX的质量和稳定性，必将为各种应用带来优异的运行效果。