产品概述：BUK962R5-60E,118
BUK962R5-60E,118 是一款由 Nexperia USA Inc. 生产的高性能 N 通道 MOSFET，专为汽车应用而设计，符合 AEC-Q101 标准。作为 TrenchMOS™ 系列的一部分，该器件在高温和极端环境下表现出色，适用于各种高功率电子电路和系统的投资。这款 MOSFET 的设计旨在提供高效率和可靠性，能够满足诸如电动汽车、便携式设备和电力转换器等严苛应用的需求。
基础特性
该 MOSFET 的主要应用是在高功率和高电流环境中，具有以下突出性能参数：
最大漏极电流 (Id)：在 25°C 的工作条件下，BUK962R5-60E,118 能够承受高达 120A 的连续漏极电流，确保在重载和高功率操作时可以安全运行，适合电机驱动和电源管理的应用。
导通电阻 (Rds(on))：在 5V 的栅极驱动电压下，该器件的导通电阻最大值为 2.5 毫欧（@ 25A），这一较低的导通电阻值极大地减少了功耗，提高了系统效率，同时降低了散热需求。
漏源电压 (Vdss)：BUK962R5-60E,118 的最大漏源电压为 60V，能够有效处理快速开关及电压瞬态，同时适应多种电源电路。
工作温度范围：该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 到 175°C，适合在各种极端环境条件下可靠运行。这使得其在高温和严苛环境的汽车应用中尤为重要。
驱动和电池管理能力
BUK962R5-60E,118 具备出色的驱动能力，最大栅极电荷 (Qg) 为 120nC（@ 5V），为实现快速开关和小功耗提供了保障，降低了驱动电路的复杂性与成本。同时，它的栅极阈值电压 (Vgs(th)) 最大值为 2.1V（@ 1mA），这使得其在低电压驱动下也能快速开启，有助于提高电源的响应速度。
封装与安装
BUK962R5-60E,118 采用 D2PAK 封装形式，这种封装设计有效地优化了热管理，并便于表面贴装，能够在有限的空间内提供良好的散热性能。同时，该器件的封装符合行业标准，如 TO-263-3 和 D²Pak，确保与现有电路的兼容性，提升了设计的灵活性。
应用领域
BUK962R5-60E,118 特别适用于以下应用领域：
- 电动汽车：应用于电机驱动模块和动力管理系统中，实现高效电流控制。
- 工业电源：适合不间断电源（UPS）、变频器和电力转换器，提升整体效率及降低能源损耗。
- 家用电器：为各类家电提供开关控制，提高能效和使用寿命。
- 便携式设备：在紧凑型设备中提供强大的驱动能力，改善续航时间。
总结
BUK962R5-60E,118 是一款先进的高电流 N 通道 MOSFET，凭借其卓越的性能与可靠性，能够满足各类高功率应用的需求。无论是在汽车行业还是工业设备中，该器件都是实现高效率和长寿命设计的理想选择。Nexperia 作为知名的电子元件制造商，致力于提供技术领先、质量优异的解决方案，确保设计工程师能在各种应用中获得最佳性能。