型号:

PDTD114EUX

品牌:Nexperia(安世)
封装:SOT-323
批次:-
包装:编带
重量:1g
其他:
PDTD114EUX 产品实物图片
PDTD114EUX 一小时发货
描述:数字晶体管 425mW 50V 500mA 1个NPN-预偏置 SOT-323-3
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.599
200+
0.386
1500+
0.336
3000+
0.297
产品参数
属性参数值
晶体管类型1个NPN-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)500mA
功率(Pd)425mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)70@50mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)1.9V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)1V@100uA,5V
输入电阻10kΩ
电阻比率1

产品概述:PDTD114EUX

制造商: Nexperia USA Inc.
产品类型: NPN数字晶体管
封装类型: SOT-323(SC-70)
状态: 在售

一、产品描述

PDTD114EUX 是一款高性能的 NPN 预偏置数字晶体管,专为各种电子应用而设计。具有较高的工作频率和良好的电流增益特性,该器件广泛应用于模拟和数字电路中,尤其是在低功耗和高开关频率的应用场合中表现优异。

二、关键参数

  1. 集电极电流 (Ic): 本器件的最大集电极电流为 500mA,使其适用于多种电流驱动需求。
  2. 集射极击穿电压 (Vce): 最大耐压为 50V,能在较高电压条件下可靠工作,适合大多数数字和模拟电路。
  3. 功率耗散: 最大功率为 300mW,使其可以在高效能的电路中工作而不会过热。
  4. 频率参数: 最大跃迁频率为 225MHz,使得此晶体管在高速信号处理上具有优势。
  5. 电流增益 (hFE): 在 Ic=50mA 和 Vce=5V 时,最小直流电流增益为 70,确保了良好的开关性能和放大特性。
  6. 饱和压降 (Vce(sat)): 在 Ib = 2.5mA 和 Ic = 50mA 时,饱和压降最大为 100mV,表明该晶体管在切换状态下具有低能耗特性。

三、应用场景

PDTD114EUX 具有广泛的应用潜力,主要包括:

  1. 数字电路: 作为开关元件,可用于数字电路的逻辑门和存储单元的构建。
  2. 放大器: 可用作小信号放大器,适用于音频和射频信号处理。
  3. 开关电源: 在开关电源设计中,作为开关元器件,能够有效地控制输出电压和电流。
  4. 传感器驱动: 适用于各类传感器的输出驱动,确保信号的稳定传输。

四、设计考虑

在设计中,推荐使用 10kΩ 的基极电阻 (R1) 和 10kΩ 的发射极电阻 (R2) 来实现对晶体管的精准控制。此配置有助于优化电流增益并保证设备的稳定性。此外,考虑到其表面贴装型安装设计,PDTD114EUX 可以轻松集成到现代电子电路板上,适合于高密度封装应用。

五、总结

总之,PDTD114EUX 是一款高效的 NPN 预偏置数字晶体管,结合高电流、高频率和低功耗特性,适合于多种电子应用。无论是在工业电路、消费电子还是通信设备中,它都能提供稳定和可靠的性能,使其成为设计工程师的理想选择。通过选择 Nexperia 的 PDTD114EUX,您将获得高质量和高可靠性的电子元器件,助力您的产品在市场上取得成功。