型号:

BUK7M15-40HX

品牌:Nexperia(安世)
封装:LFPAK33
批次:-
包装:编带
重量:1g
其他:
BUK7M15-40HX 产品实物图片
BUK7M15-40HX 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 44W 40V 30A 1个N沟道 SOT1210
库存数量
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最小包:1500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.93
100+
2.44
750+
2.23
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)12.2mΩ@10V,10A
功率(Pd)44W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)9.1nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)801pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)62pF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

BUK7M15-40HX 产品概述

一、产品简介

BUK7M15-40HX是一款高性能的N通道金属氧化物场效应管(MOSFET),属于Nexperia(安世)品牌旗下的产品,采用先进的LFPAK33封装,具有优良的热管理性能和电气特性。设计上适用于各种高频开关、逆变器、功率放大器和驱动器等多种应用场景,充分满足现代电子产品对高效率、低损耗的需求。

二、主要参数

  • 类型: N通道MOSFET
  • 漏源电压(Vdss): 40V
  • 最大连续漏极电流(Id): 30A @ 25°C
  • 导通电阻(Rds On): 最大15毫欧 @ 10A,10V
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)): 最大3.6V @ 1mA
  • 栅极电荷(Qg): 最大12.7nC @ 10V
  • 输入电容(Ciss): 最大801pF @ 25V
  • 功率耗散(Pd): 最大44W
  • 工作温度范围: -55°C ~ 175°C

三、封装与安装

BUK7M15-40HX采用SOT-1210封装,属于LFPAK33类型,具有良好的散热性能和机械强度,适合表面贴装(SMD)应用。这一封装设计使得其在节省空间的同时,能够有效降低因功率耗散而造成的温升,延长元器件的使用寿命。

四、电气特性分析

BUK7M15-40HX的漏源电压高达40V,使其可在较高电压环境下稳定工作。此外,30A的最大连续漏极电流为其提供了极大的功率处理能力,这使得它能够高效地承载电流并在实际应用中表现出色。其最大导通电阻为15毫欧,能够大大降低在驱动负载时产生的功耗,提升整体系统的能效。

五、应用场合

BUK7M15-40HX广泛应用于各类电子设备和系统中,尤其是在需要大电流和高效率的场合,例如:

  1. DC-DC转换器 - 用于实现电压转换时的开关元件,保证高效能和热管理。
  2. 电动汽车 - 在电动汽车的功率管理系统中,用于电机驱动和电池管理。
  3. 工业控制器 - 在电机控制与驱动系统中使用,适应高频率的切换需求。
  4. 消费电子 - 在智能手机、平板和计算机电源管理中担任核心角色。

六、总结

BUK7M15-40HX是一款技术成熟、性能卓越的N沟道MOSFET,凭借其强大的电气特性、优良的散热性能以及宽广的工作温度范围,成为了一系列高要求应用的理想解决方案。Nexperia作为知名的半导体供应商,凭借其专业的制造工艺和严格的质量控制,为客户提供了可靠的产品支持。

在当今快速发展的电子行业中,选择BUK7M15-40HX,将为您的设计带来更高的效能,更低的能量损耗,也将进一步推动产品的市场竞争力。无论是在新产品开发还是在现有系统改进中,该产品都将是您不可或缺的选择。