BUK7K5R1-30E,115

产品概述：BUK7K5R1-30E,115

1. 基本介绍

BUK7K5R1-30E,115是一款由Nexperia（安世半导体）推出的高性能N-沟道场效应管（MOSFET），具有出色的电气特性和可靠的工作性能。其设计旨在满足现代电子设备对高效率、低功耗和高密度集成的要求，适配于各种应用，包括电源管理、快速开关电路和电动汽车等领域。该器件采用表面贴装形式，封装为LFPAK56D-8，便于在小型化设计中使用。

2. 关键参数

• 类型和功能: BUK7K5R1-30E,115为双N-沟道FET，适用逻辑电平门应用。其高效的开关能力使其在需要快速响应的电路中表现出色。
• 漏源电压: 该MOSFET的漏源电压（Vdss）为30V，适合中低压电源应用，能够有效配置在各种电力转换和控制电路中。
• 连续漏极电流: 在25°C环境温度下，BUK7K5R1的最大连续漏极电流（Id）为40A，满足高功率应用需求，能够驱动高负载电流。
• 导通电阻: 器件在10V Vgs下的最大导通电阻为5.1毫欧，这不仅使其能在运行时减少功率损耗，还能有效降低发热量，从而提高系统的整体效率。
• 阈值电压: Vgs(th)达到最大值为4V @ 1mA，表明此器件对逻辑电平信号高度敏感，适合与低压控制电路兼容。
• 栅极电荷: 在10V瓜尔状态下，其最大栅极电荷（Qg）为31.1nC，表现出快速的开关特性，适合于高频应用场景。
• 输入电容: 该器件的输入电容（Ciss）最大为2352pF @ 25V，通常用于评估过渡的响应时间，娜维快速开关中有助于减少延时。

3. 功率与温度范围

BUK7K5R1-30E,115的最大功率为68W，确保在高功耗应用时器件能持续工作而不出现热失控。其工作温度范围广泛，从-55°C到175°C，适用于严苛的环境条件，保护电路在各种温度下的稳定运行。

4. 封装与安装

该MOSFET采用LFPAK56D-8封装，设计紧凑，适合于表面贴装（SMD）应用。此壳体不仅便于自动化生产，还支持高密度电路设计，适合于现代高性能电子产品的需求。LFPAK封装专为散热而设计，以便在高电流和高功率应用中保持较低的工作温度。

5. 应用领域

BUK7K5R1-30E,115广泛应用于各种领域，包括但不限于：

• 电源管理: 用于电源转换、电源开关和调节器等电路中，实现高效能的能量转换。
• 电动汽车: 用在动力系统和电池管理系统中，确保高效的能量传递及系统稳定性。
• 工业控制: 帮助各种工业设备及自动化装置实现精准控制与高效能运作。
• 消费电子: 在智能手机、笔记本电脑等便携设备中，优化电能使用，提高电池使用效率。

6. 总结

BUK7K5R1-30E,115以其出色的性能指标、广泛的应用适用性以及可靠的工作特性，为现代电子设计提供了优质的解决方案。无论是对于要求高功率、高效率的应用场景，还是对空间和热控有严格要求的设计，BUK7K5R1都能提供优秀的表现。Nexperia致力于持续提供高效率的电子元器件，BUK7K5R1-30E,115是这一承诺的具体体现。