型号:

BUK9875-100A/CUX

品牌:Nexperia(安世)
封装:SOT-223
批次:-
包装:编带
重量:0.138g
其他:
BUK9875-100A/CUX 产品实物图片
BUK9875-100A/CUX 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 8W 100V 7A 1个N沟道 SOT-223-3
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
3.23
100+
2.69
1250+
2.49
2500+
2.37
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)72mΩ@10V,8A
功率(Pd)8W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@1mA
输入电容(Ciss@Vds)1.69nF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

产品概述:BUK9875-100A/CUX N 通道 MOSFET

在现代电子电路设计中,场效应管(MOSFET)因其优异的开关性能和高效率,广泛应用于电源管理、通信设备、工业控制及汽车电子等场合。其中,BUK9875-100A/CUX是一款由Nexperia(安世)提供的高性能N通道MOSFET,适合要求高电压、高电流的应用环境。以下将对该器件的基础参数、技术特性及应用场合进行详细介绍。

1. 基础参数

BUK9875-100A/CUX的主要参数包括:

  • FET类型:N通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)
  • 漏源电压(Vdss):最高可达100V,适合于高电压电源应用
  • 连续漏极电流(Id):在25°C下,最大能承载7A的电流,这为其性能提供了良好的保障
  • 驱动电压:具有两个工作模式的驱动电压,分别为4.5V和最多可达10V
  • 导通电阻(Rds On):在10V Vgs下,导通电阻的最大值为72毫欧,此特性在高电流条件下可大幅度减少功耗损失
  • 漏极阈值电压(Vgs(th)):在1mA测试条件下,最大阈值电压为2V,使得器件快速导通
  • 工作温度范围:-55°C至150°C,适用于恶劣环境下的应用
  • 表面贴装型封装:SOT-223封装设计,适合高密度电路板的安装需求

2. 技术特性

BUK9875-100A/CUX集成了多项先进的技术特性,确保其在实际应用中的稳定性与可靠性:

  • 高频性能:其输入电容(Ciss)在不同的Vds下保持在最大值1690pF(@25V),使得该产品在高频开关应用中表现良好。
  • 功率耗散能力:器件最大功率耗散为8W (Tc),意味着在高负载情况下能够长期稳定运行,而不会因过热而导致失效。
  • 优良的热管理:该器件在其工作温度范围内能够有效散热,确保长期高效运行。

3. 应用场景

由于BUK9875-100A/CUX的卓越性能及广泛的工作范围,主要应用于以下几个领域:

  • 电源管理:器件可以用作开关电源(SMPS)中的功率开关,提升电源转换效率。
  • 电动汽车:适用于电动汽车的驱动电路和电池管理系统,能够有效地控制电流流向。
  • 工业控制:广泛应用于电机驱动、电动机控制及各种自动化设备中。
  • 便携式设备:由于其小型化的封装设计,该器件非常适合应用于尺寸受限的便携式电子产品。

4. 结论

BUK9875-100A/CUX是一款经典的N通道MOSFET,凭借其较高的漏源电压、优良的导通电阻和宽广的工作温度范围,成为了众多高频、高效能电路的核心元件。其出色的技术特点不仅适用于一般的电源管理,还涵盖了对环境适应性要求较高的应用领域,是现代电子设计中不可或缺的组成部分。对于设计工程师而言,选择BUK9875-100A/CUX将有助于实现节能、高效且稳定的电子产品。