型号:

BUK7M3R3-40HX

品牌:Nexperia(安世)
封装:LFPAK33-8
批次:-
包装:编带
重量:0.064g
其他:
BUK7M3R3-40HX 产品实物图片
BUK7M3R3-40HX 一小时发货
描述:Transistor: N-MOSFET; unipolar
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梯度内地(含税)
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7.74
100+
6.67
750+
6.35
1500+
6.14
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.3mΩ@10V,25A
功率(Pd)101W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3.6V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)45nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)3.037nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)250pF@25V
工作温度-40℃~+175℃

产品概述:BUK7M3R3-40HX

BUK7M3R3-40HX 是一款由 Nexperia(安世)公司生产的高性能 N-通道 MOSFET(场效应晶体管),其设计目标是满足现代电子设备在高效率、高功率和高温应用中的需求。该器件采用表面贴装型(SMD)封装,特定为 LFPAK33(SOT-1210),具有良好的散热特性和易于自动化焊接的优势。

关键参数

  1. FET 类型: BUK7M3R3-40HX 属于 N 频道 MOSFET,具备优异的开关特性,适合高效能电源管理和开关应用。

  2. 漏源电压 (Vdss): 器件的最大漏源电压为 40V,适用于大多数中等电压范围的应用,而其原材料的特性也保证了器件在此电压下的稳定性。

  3. 电流能力: 在 25°C 环境温度下,该 MOSFET 可以承载高达 80A 的连续漏极电流,适合高功率电路设计,支持重负载应用。

  4. 导通电阻和功率耗散:

    • Rds(on): 在 10V Vgs 和 25A Id 条件下,最大导通电阻为 3.3 毫欧,表现出优秀的低导通损耗特性。
    • 功率耗散: 该器件能够承受最大功率耗散达 101W,这使其能在高功率应用中保持良好的工作状态。
  5. 工作温度范围: BUK7M3R3-40HX 的工作温度范围为 -55°C 至 175°C,使其能够在极端环境下稳定运行,尤其适合航空航天、汽车及工业设备。

  6. 栅极驱动: 器件的栅极阈值电压(Vgs(th))最大为 3.6V(@ 1mA),和最大 Vgs 为 +20V,与 -10V 的负栅极电压提供灵活的栅极驱动方案。同时,栅极电荷(Qg)在 10V 下的最大值为 45nC,有助于实现快速的开关特性。

  7. 输入电容 (Ciss): 在 25V 时,输入电容的最大值为 3037pF,这一特性对高频信号应用来说至关重要,确保了降低输入信号变形和更快的响应时间。

应用场景

BUK7M3R3-40HX 由于其优异的电气性能和宽广的工作温度范围,广泛应用于以下领域:

  • 电源管理: 作为 DC-DC 转换器、同步整流及电源开关中的核心元件,为提升效率和降低能量损耗提供理想的解决方案。
  • 电动汽车: 在电动汽车的电池管理系统(BMS)、驱动电机控制以及充电系统中,能提供稳定的电流控制和高功率处理能力。
  • 工业设备: 在工业产品如伺服驱动器、机器人和自动化设备中,作为开关元件保证稳定性和高速控制。
  • 消费电子: BUK7M3R3-40HX 适合用于计算机电源、LED 驱动器及其他消费类电子设备,以实现高效能供电。

总结

凭借其卓越的电气特性及高温性能,BUK7M3R3-40HX 是现代电子产品设计中不可或缺的元件。无论是在高功率密度要求的电源变换应用,还是在需要高可靠性的恶劣环境下,此款 MOSFET 均提供了可靠的解决方案。其优质的发热管理和低开关损耗性能,使其在市场竞争中具备明显的优势,为各种需求的工程师和设计师提供了多种可能的应用场景。