型号:

STL22N60M6

品牌:ST(意法半导体)
封装:PowerFLAT-8
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
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STL22N60M6 一小时发货
描述:MOSFET N-channel 600 V, 220 mOhm typ 10 A MDmesh M6 Power MOSFET
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梯度内地(含税)
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11.53
100+
10.02
750+
9.11
1500+
8.76
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)220mΩ@10V,5A
功率(Pd)57W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3.25V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)20nC
输入电容(Ciss@Vds)800pF@100V
反向传输电容(Crss@Vds)4.3pF@100V
工作温度-55℃~+150℃

STL22N60M6 产品概述

STMicroelectronics生产的STL22N60M6是一款高效能的N通道MOSFET,属于MDmesh™ M6系列,旨在满足高电压和高温度环境下的多种应用需求。这款MOSFET采用最新的制造工艺,具有优异的电气特性和出色的热性能,使其广泛应用于工业、汽车和消费电子等领域。

主要特性

  1. 高漏源电压
    STL22N60M6的漏源电压(Vdss)高达600V,使其适用于高电压环境下的开关电源、逆变器和驱动电路。尤其在电力电子设备中,它能够确保安全和高效的操作。

  2. 导通电阻
    在10V的栅源电压下,该MOSFET的最大导通电阻(Rds On)为250毫欧(@5A,10V),这意味着它在使用过程中的功耗非常低。低电阻的特性减少了在开关操作过程中产生的热量,提高了设备的效率和可靠性。

  3. 宽工作温度范围
    STL22N60M6的工作温度范围为-55°C到150°C,既可适应极端的环境条件,又能在高温条件下保持稳定性。这样的性能对于汽车电子、工业控制和高温应用尤其重要。

  4. 高功率耗散能力
    其最大功率耗散能力达到57W(Tc),使其在高负载条件下依然能够保持良好的工作状态,避免因过热引发的损坏。

  5. 快速开关性能
    STL22N60M6表现出色的栅极电荷(Qg)特性,最大值仅为20nC(@10V),这使得它在开关频率较高的应用中也能有效工作,减少开关损耗,提高系统的整体效率。

  6. 先进的封装设计
    该器件采用了PowerFLAT™封装(5x6mm),为表面贴装型设计,适合于自动化生产以及节省空间的电子设备。其优良的封装设计还协助实现更好的热管理。

应用场景

STL22N60M6的设计特点使其适用于各种应用场景,包括但不限于:

  • 开关电源: 由于其高电压和低导通电阻特性,STL22N60M6非常适合用于开关电源的主开关和辅助开关中,提高电源转换效率。

  • 电动机驱动: 在电动机驱动和逆变器中,能有效控制电流,提供平稳的功率输出。

  • 汽车电子: 该器件的宽工作温度范围和高功率承受能力,使其在汽车电子架构中的应用(如电源管理和电动助力转向系统)尤为重要。

  • 工业设备: 适用于高温环境下的工业自动化设备,如焊接电源和电力合成器等。

总结

STL22N60M6 MOSFET是一款高性能的N通道FET,结合了出色的电气特性、强大的热性能和宽广的应用范围,实属现代电子设计中不可或缺的重要元器件。凭借其在高电压和高温条件下的稳定表现,STL22N60M6定能为各类电力电子应用提供可靠的解决方案。