型号:

STI6N95K5

品牌:ST(意法半导体)
封装:TO-220-3
批次:-
包装:管装
重量:2.66g
其他:
STI6N95K5 产品实物图片
STI6N95K5 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 90W 950V 9A 1个N沟道 TO-262(I2PAK)
库存数量
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
5.64
100+
4.51
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)950V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.25Ω@10V,3A
功率(Pd)90W
阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA
栅极电荷(Qg@Vgs)13nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)450pF@100V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

STI6N95K5 产品概述

一、产品基础信息

STI6N95K5 是意法半导体(STMicroelectronics)公司生产的一种高性能N沟道场效应管(MOSFET),该器件具有显著的电气特性和高耐压能力,广泛应用于电源管理、电动机控制和开关电源等领域。其主要规格为功率90W,耐压950V,具有电流承载能力9A,适合于高压、大功率的应用场景。

二、产品封装与安装

STI6N95K5采用I2PAK(TO-262)封装形式,这种封装设计具有良好的热性能和散热能力,适用于高功率应用。TO-262封装为长引线封装类型,使得该器件在PCB板上的布线和安装更加灵活和方便。

  • 封装类型:I2PAK(TO-262)
  • 引脚数:3个引脚
  • 封装尺寸:适合多种PCB布局设计

三、技术性能

  1. 电压与电流能力

    • 最大漏极-源极电压(VDS):950V
    • 最大漏极电流(ID):9A
    • 功率耗散(PD):90W(依据散热条件)

    该器件的高耐压能力使其在高压电源设计中表现优异,能够承受瞬时的瞬态电压,应对电源系统中的突发事件。

  2. 开关特性

    • 低导通电阻(RDS(on)):该器件的设计确保其在导通时具有较低的导通电阻,从而减少能量损耗和发热,提高整体系统的效率。
  3. 温度特性

    • 工作温度范围:STI6N95K5 设计具备较宽的工作温度范围,适用于恶劣的环境条件,保证其稳定性和可靠性。

四、应用领域

STI6N95K5由于其优越的性能和灵活的安装方式,适用于多种不同的应用场景:

  1. 电源管理:广泛应用于开关电源和电源适配器中,起到高效开关和调节电流的作用。
  2. 电动机控制:可用于电动机驱动电路,通过高效的开关特性提高电动机运行的可靠性和效率。
  3. 辅助电源和静态转换器:在不同的电源系统中,STI6N95K5能够提供可靠的开关控制,维持系统稳定性。
  4. LED驱动电路:在LED照明或显示屏应用中,采用STI6N95K5可以提高能效和系统的可靠性。

五、总结

STI6N95K5 是一款性能优越、适用范围广泛的N沟道MOSFET,其高耐压和高电流能力使得它在高功率和高效率的应用中表现优异。随着对能效和电源管理要求的提高,STI6N95K5的市场需求日益增长。意法半导体凭借其强大的研发实力和生产能力,确保了该器件的稳定性和可靠性,从而为用户提供了具有竞争力的解决方案。无论是在家电、工业控制还是电动车辆领域,STI6N95K5都是理想的选择,能够帮助工程师更好地应对现代电子产品日益复杂的设计挑战。