型号:

T1250-600G-TR

品牌:ST(意法半导体)
封装:D2PAK
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
T1250-600G-TR 产品实物图片
T1250-600G-TR 一小时发货
描述:晶闸管(可控硅)/模块 50mA 600V 1个双向可控硅 1.3V TO-263
库存数量
库存:
0
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
17.3
100+
15.45
1000+
15.03
产品参数
属性参数值
可控硅类型1个双向可控硅
门极触发电压(Vgt)1.3V
保持电流(Ih)15mA
断态峰值电压(Vdrm)600V
门极触发电流(Igt)50mA
通态峰值电压(Vtm)1.55V
浪涌电流(Itsm@f)120A@50Hz
门极平均耗散功率(PG(AV))1W
通态RMS电流(It(rms))12A
工作温度-40℃~+125℃

T1250-600G-TR 产品概述

产品简介

T1250-600G-TR 是一款高性能的双向可控硅(SCR),由意法半导体(STMicroelectronics)制造。该器件专为高电压应用而设计,能够满足许多工业和消费电子系统的需求。作为一种强大的电源控制元件,T1250-600G-TR 具有卓越的热性能和宽广的工作温度范围,适合各种严苛环境中的产品应用。

主要特点

  • 双向可控硅设计:T1250-600G-TR 采用无缓冲器的结构,能够双向导通,提供高效的电流控制。在正反向电流条件下均可工作,便于在交流和直流电源中进行调节和控制。
  • 高电压和电流承载能力:该组件的断态电压(VDRM)可高达 600V,并且通态电流(It(RMS))的最大值可达到 12A。这使其能够满足高压电源的需求,特别适用于电机控制、照明调光装置和温控器等应用。
  • 浪涌电流处理能力:T1250-600G-TR 具有非重复浪涌电流能力,其中 50/60Hz 时的最大浪涌电流(Itsm)达 120A(126A)。这使得设备能够在瞬态事件中保持稳定性,适应各种电力负载变化。
  • 低栅极触发电压:该器件的栅极触发电压(Vgt)最大值为 1.3V,较低的触发电压使得系统设计更加灵活,适合与多种控制电路共同应用。
  • 广泛的工作温度范围:T1250-600G-TR 的工作温度范围为 -40°C 到 125°C,适用于高温和低温环境,确保设备在极端环境中的长期稳定性和可靠性。

封装与安装

T1250-600G-TR 采用 D2PAK 封装(TO-263),这是一种表面贴装型(SMD)设计,便于自动化焊接和简化 PCB 设计。该封装不仅提供良好的热管理性能,且支持紧凑型设计,适合空间有限的应用场合。此外,D2PAK 封装具备较强的抗震与抗冲击特性,有助于提升设备整体的可靠性。

应用领域

T1250-600G-TR 可以广泛应用于各类需要高电压和电流控制的场景,包括但不限于:

  • 电机控制:用于调节电机启动、停止,以及速度控制等。
  • 自动化设备:在工业自动化设备中,作为负载控制的关键元件。
  • 照明系统:用于调光控制,以适应不同的照明需求。
  • 温控设备:在加热器、制冷设备中实现温度管理。
  • 电源管理:在各类电源电路中实现能效管理和保护。

总结

T1250-600G-TR 是一款适合高电压和高电流应用的双向可控硅,凭借其优越的性能参数和广泛的应用领域,能够在多种工业及消费类产品中发挥重要作用。依靠意法半导体的技术支持与可靠性保证,选择 T1250-600G-TR,相信能够为您的设计带来更多的便利与效率。