STW19NM50N

STW19NM50N 产品概述

一、产品简介

STW19NM50N 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能 N 通道 MOSFET，具备较高的漏源电压、出色的导通性能和较大的功率处理能力。这款 MOSFET 封装在 TO-247-3 封装中，适用于高效能的电源管理与开关应用，如电机驱动、开关电源和逆变器等。

二、关键参数

1. 漏源电压（Vdss）：该 MOSFET 的漏源击穿电压为 500V，使其适用于高压环境中。
2. 连续漏极电流（Id）：在 25°C 的环境温度下，该器件可以持续承载高达 14A 的漏极电流，且在较高的温度下仍保持良好的性能。
3. 门限电压（Vgs(th)）：在 250µA 的条件下，Vgs(th) 最大值为 4V，表明其对栅极电压的响应较为灵敏。
4. 导通电阻（Rds(on)）：在 10V 的栅极驱动电压和 7A 的漏电流下，最大导通电阻为 250 毫欧，提供有效的功率损耗控制。
5. 输入电容（Ciss）：在 50V 时的输入电容为 1000pF，展示了良好的开关特性和高频应用适应性。
6. 栅极电荷（Qg）：在 10V 驱动电压下的栅极电荷为 34nC，意味着该 MOSFET 在开关操作时能够实现较低的驱动功耗。
7. 温度特性：可在高达 150°C 的工作温度下安全运行，确保在苛刻条件下也不会出现性能下降。

三、应用领域

STW19NM50N MOSFET 的设计使其非常适合多种高压和高功率应用，具体包括：

1. 开关电源（SMPS）：利用其高击穿电压和较低的导通电阻，能够有效提升开关电源的效率，并减少热损耗。
2. 电机驱动：在工业设备和家用电器中，其高电流承载能力可用于各种电机驱动应用。
3. 逆变器：在光伏逆变器和其他可再生能源应用中，该MOSFET 的高电压特性使其能够有效转换和控制电能。
4. 电源管理：用于电力分配和控制的电路，能够提供快速的开关响应并维持极高的稳定性。

四、封装和散热

STW19NM50N 采用 TO-247-3 封装，这种大尺寸封装的设计不仅能够有效散热，还便于通过通孔安装到电路板上，提高了散热性能和机械强度。这一点在高功率应用中尤为重要，因为MOSFET的功率损耗需要通过良好的散热措施来管理，以保持器件在安全工作范围内。

五、总结

STW19NM50N MOSFET 是一款高压、高功率的场效应管，凭借其优越的电气性能和温度稳定性，适用于多个高效能电子应用。其在开关电源、逆变器以及电机驱动等领域中的应用潜力巨大，是电子设计工程师在选择元器件时分外值得关注的一款产品。意法半导体以其卓越的产品质量和技术支持，为客户提供更为可靠的解决方案。