STU5N70M6-S

STU5N70M6-S 产品概述

STU5N70M6-S是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高性能N通道MOSFET，属于其知名的MDmesh™ M6系列。该系列以其卓越的开关性能和高效率能在多个细分市场中得到广泛应用，包括电源管理、工业控制及汽车电子等领域。STU5N70M6-S的特点是高电压、大电流及低导通电阻，这使得其非常适合用于高效的电源转换和开关电路设计。

主要参数特点

1. 漏极电流（Id）: STU5N70M6-S在25°C的环境温度下支持连续漏极电流达到3.5A，这使其适用于需要较大电流的应用场景。此外，其高达700V的漏源电压（Vdss）为其在高电压环境下的使用提供了保障。

2. 导通电阻（Rds(on)）: 此MOSFET在1.75A、10V的驱动电压下，其导通电阻最大值为1.4Ω。低导通电阻意味着在电流通过MOSFET时，能有效减少功率损耗，提高效率，降低热量产生。因此，在高效能源转换和开关操作中，STU5N70M6-S具有相当大的优势。

3. 门极阈值电压（Vgs(th)）: STU5N70M6-S的最大门极阈值电压为3.75V（@250µA），这使得其在驱动电路时能够以较小的电压触发，从而降低了功耗。其门极电压的最大值为±25V，允许在较宽的电压范围内进行操作。

4. 功率损耗: 它的最大功率耗散能力为45W（Tc），意味着该MOSFET能够承受较高的功率而不容易发生过热，适合高功率密度的应用。

5. 工作温度范围: STU5N70M6-S的工作温度范围为-55°C至150°C，这使得它在极端环境下的耐受性和稳定性非常优越，特别适合汽车和工业等高温以及低温的应用领域。

封装和安装

STU5N70M6-S采用TO-251-3（IPAK）封装，这是一种通孔安装型设计，适合于在各种电路板上进行布置。该封装的特点是体积小，便于散热，且安装简便，能有效节省PCB布线空间。

应用场景

由于其优越的电气性能和环境适应性，STU5N70M6-S可以广泛应用于以下场景：

• 开关电源: 在AC-DC和DC-DC转换器中，作为开关元件提高电源转换效率。
• 电动机驱动: 用于控制电动机的开关，提供高能效的电机控制解决方案，特别是在工业自动化领域。
• LED驱动: 作为LED驱动电路中的开关，提高LED灯的工作效率和光效。
• 汽车电子: 应用于电动助力转向、制动控制以及混合动力和电动汽车的动力管理系统中。

总结

STU5N70M6-S N通道MOSFET无疑是高效电源管理和开关应用的理想选择。凭借其出色的电气性能、优越的热管理能力、宽广的工作温度和应用灵活性，STU5N70M6-S为设计师在各种复杂应用中的需求提供了良好的解决方案，助力现代电子产品高效能、低能耗的目标实现。