UMH2NFHATN

产品概述：UMH2NFHATN 数字晶体管

一、产品简介

UMH2NFHATN 是 ROHM（罗姆）公司推出的一款高性能数字晶体管，采用表面贴装型（SMD）设计，包装形式为 6-VSSOP（UMT6）。该产品具有双 NPN 预偏压式结构，适用于高频应用和小型电子设备，能够满足各种现代电子电路的需求。其主要特点包括高集电极电流（Ic 最大值 100mA）、电压耐受能力（集射极击穿最大值 50V）以及可观的工作频率（跃迁频率高达 250MHz）。

二、规格参数

• 晶体管类型: 双 NPN 预偏压式（2NPN）
• 最大集电极电流（Ic）: 100mA
• 最大电压（Vce）: 50V
• 基极电阻（R1）: 47kΩ
• 发射极电阻（R2）: 47kΩ
• DC 电流增益（hFE）: 最小值 68（在 5mA，5V 时）
• 饱和压降（Vce）: 最大值 300mV（在 500µA 和 10mA 时）
• 集电极截止电流: 最大值 500nA
• 频率（跃迁）： 250MHz
• 最大功率: 150mW
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装形式: 6-VSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装: UMT6

三、应用领域

UMH2NFHATN 数字晶体管特别适合于各类数字电路和模拟电路，如：

1. 开关电源: 由于其较高的频率和功率效率，适用于开关稳压器和开关电源管理。
2. 音频放大器: LOW distortion charasteristics 能够有效提升声音质量，适合音频信号放大和处理。
3. 开关电路: 在数字电路中非常适用于开关控制、信号调制与解调等多种应用。
4. 传感器接口: 适用于各种传感器的信号处理和转换，如温度、光线和运动传感器等。

四、性能优势

1. 高增益特性: UMH2NFHATN 在较小的输入电流下（Ib）即可输出较大的集电极电流（Ic），其 DC 电流增益（hFE）达到最小值68，提高了工作效率，降低了功耗。

2. 低饱和压降: 其饱和压降（Vce）非常低，最大值为 300mV，能够有效地减少电源损耗，从而提高电路的整体效率。

3. 宽工作频率: 跃迁频率高达 250MHz，使得该器件适用于高频开关应用，能够满足快速开关的需求。

4. 紧凑的封装: SOT-363（UMT6）封装使得该晶体管非常适合高密度电路设计，节省PCB空间，同时提升了散热性能。

5. 市场认可品牌: ROHM 品牌在业界有着良好的声誉和可靠性，确保用户在产品性能与质量上的双重保障。

五、使用注意事项

在应用 UMH2NFHATN 数字晶体管时，用户应注意以下几点：

• 热管理: 尽管该晶体管在最大功率下的表现优秀，但在长时间工作时仍需注意散热，以确保其稳定性和寿命。
• 过压保护: 在实际应用中，应在电源电压变化剧烈的环境下加入过压保护电路，以保护晶体管和其他元件的安全。
• 稳定偏置: 设计电路时，确保基极电压和电流正确，以实现最佳工作点，保证器件的信号放大性能。

六、总结

UMH2NFHATN 数字晶体管是一款极具竞争力的电子元器件，凭借其卓越的电气性能、紧凑的封装、以及可靠的品牌背景，成为现代电子产品设计中不可或缺的组件之一。无论是高频开关应用，还是精密信号处理，UMH2NFHATN 都能够为工程师提供高效、稳定和可靠的解决方案。