型号:

2SCR552P5T100

品牌:ROHM(罗姆)
封装:MPT3(SOT-89)
批次:-
包装:编带
重量:1g
其他:
2SCR552P5T100 产品实物图片
2SCR552P5T100 一小时发货
描述:三极管(BJT) 500mW 30V NPN TO-243AA
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产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)3A
集射极击穿电压(Vceo)30V
功率(Pd)500mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)200@500mA,2V
特征频率(fT)280MHz
集电极截止电流(Icbo)1uA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)400mV@50mA,1A

产品概述 - 2SCR552P5T100

一、基本信息

2SCR552P5T100是一款具有高性能特点的NPN型晶体管(BJT),由著名电子元件制造商ROHM(罗姆)提供。该产品采用TO-243AA封装,主要设计用于表面贴装(SMD)应用,适合多种电子电路和系统的集成。这款晶体管以其优秀的电气特性和可靠的工作性能,在电子设计中广泛应用于开关电源和信号放大等领域。

二、主要电气参数

  1. 晶体管类型: NPN

    • NPN晶体管是由两个N型半导体材料和一个P型半导体材料组成,适用于多种开关和放大应用。
  2. 集电极电流(Ic): 最大值为3A

    • 该晶体管能承受的最大集电极电流为3A,能够满足高功率驱动和负载的需求。
  3. 集射极击穿电压(Vce): 最大值为30V

    • 提供高达30V的耐压性能,适用于对电压敏感的电路。
  4. 饱和压降(Vce(sat)): 最高400mV(在50mA和1A时测试)

    • 在大电流条件下,保持较低的饱和压降,增强了开关效率。
  5. 集电极截止电流(ICBO): 最大值为1µA

    • 该参数确保在无信号时,晶体管的泄漏电流极低,能够提供更高的系统稳定性。
  6. 直流电流增益(hFE): 最小值200(在500mA、2V时)

    • 高增益特性使其在放大应用中表现优秀。
  7. 功率: 最大值为500mW

    • 确保在应用中能承受较高的功率,适合于高负载环境。
  8. 频率响应: 跃迁频率为280MHz

    • 高频性能使得该晶体管适用于高速开关和高频信号处理。
  9. 工作温度范围: 最大150°C(TJ)

    • 强大的环境适应能力可以满足苛刻工作条件下的需求,使其在高温环境中也能正常稳定工作。

三、封装及安装类型

  • 封装类型: TO-243AA (MPT3)

    • 这种小型化表面贴装封装,方便在PCB板上进行高密度布局,节省了电路板空间,提高了设计的灵活性。
  • 安装方式: 表面贴装型

    • 适合现代电子产品的制造流程,简化了安装和组装的难度,提高生产效率。

四、应用领域

2SCR552P5T100广泛应用于:

  • 开关电源: 由于其高效率和稳定性,可用于电源转换和电压调节电路中。
  • 信号放大器: 较高的直流电流增益使其适合用作放大器的驱动。
  • 功率放大器: 在音频设备和通信设备中,提供强大的输出能力。
  • 开关电路: 高集电极电流能力使其成为理想的开关控制元件。

五、总结

整体而言,2SCR552P5T100是一款在电气性能和可靠性上均表现出色的NPN型晶体管。其高电流、高电压、低饱和压降和良好的增益特性使其在许多应用场合中极具竞争力,尤其是在对功率和效率要求较高的电子设计中。ROHM(罗姆)作为制造商,提供了稳定的质量保障,使得这款晶体管成为设计人员和工程师在选择合适的元器件时的优先考虑内容之一。