IRFPS38N60LPBF

产品概述：IRFPS38N60LPBF N通道MOSFET

简介

IRFPS38N60LPBF是一款高性能的N通道MOSFET，专为高压应用而设计。该器件由知名制造商VISHAY（威世）生产，具备600V的漏源电压和高达38A的持续漏极电流，非常适合用于开关电源、电机驱动及其他需要高效率与高功率管理的电子电路中。

技术规格

基本参数

• 器件类型：N通道MOSFET
• 漏源电压 (Vdss)：600V
• 连续漏极电流 (Id)：38A (在25°C的结温Tc下)
• 驱动电压：10V（适用于最大和最小Rds On）
• 导通电阻 (Rds(on))：最大值为150毫欧，适用于23A和10V的条件下
• 阈值电压 (Vgs(th))：最大值为5V，测试时的漏电流为250µA
• 栅极电荷 (Qg)：最大值320nC，适用于10V的Vgs
• 最大栅极源电压 (Vgs)：±30V
• 输入电容 (Ciss)：最大值7990pF，测试电压为25V
• 功率耗散：最大功率耗散540W，条件为Tc
• 工作温度范围：-55°C至150°C
• 封装类型：超级247（TO-274AA），通孔安装

应用场景

IRFPS38N60LPBF适用于多种高效功率转换和管理的应用：

1. 开关电源：在开关电源设计中，使用MOSFET可以实现更高的开关频率和能效，IRFPS38N60LPBF凭借其高电压承受能力和低导通电阻，能够有效减少损耗，提升系统效率。

2. 电机驱动：在电机控制电路中，该MOSFET可以用作功率开关，从而实现精确的电流控制与调节。高达38A的泄漏电流使得其适用于各种规格的电机应用。

3. 电池管理系统：在电池充电和放电过程中，高效率的功率管理是至关重要的。IRFPS38N60LPBF可以在复杂的电池管理系统中用于保护、监测和控制电池的充电状态。

4. HVAC系统：在暖通空调（HVAC）系统中，MOSFET通常用于负载开关和调速控制，IRFPS38N60LPBF的耐高温和高电压特性使其成为可靠的选择。

特点与优势

• 高电压能力：最大600V的漏源电压使得该器件适用于高压应用，满足工业和汽车级应用需求。
• 低导通电阻：150毫欧的低Rds(on)特性降低了在开关时的功率损耗，使得电路更加高效。
• 广泛的工作温度范围：从-55°C到150°C的工作温度设计确保器件在极端环境中也能稳定工作。
• 易于集成：TO-274AA封装的设计简化了PCB布线和组装，适合各种电子设备的集成。
• 高功率耗散能力：高达540W的功率耗散特性使其适用于需要高效热管理的复杂电路设计。

结论

IRFPS38N60LPBF N通道MOSFET是一款功能强大、应用广泛的高压开关元件，特别适合于需要高性能和高可靠性的场景。无论是在开关电源、电机驱动还是电池管理系统中，IRFPS38N60LPBF都能为设计工程师提供高效、经济的解决方案，是现代工业电气工程中不可或缺的一部分。