型号:

NSS1C201LT1G

品牌:ON(安森美)
封装:SOT-23
批次:2年内
包装:编带
重量:0.03g
其他:
-
NSS1C201LT1G 产品实物图片
NSS1C201LT1G 一小时发货
描述:三极管(BJT) 490mW 100V 2A NPN SOT-23
库存数量
库存:
6090
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.841
3000+
0.78
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)2A
集射极击穿电压(Vceo)100V
功率(Pd)710mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)150@10mA,2.0V
特征频率(fT)110MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)150mV@2.0A,0.200A
工作温度-55℃~+150℃

NSS1C201LT1G 产品概述

概述

NSS1C201LT1G 是由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款高性能 NPN 晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT)。这款三极管特别设计用于高频率和高电流应用,封装形式为SOT-23,具有优异的电气特性和广泛的工作温度范围,使其适合于多种电子产品的设计与应用。

主要特性

  1. 晶体管类型: NSS1C201LT1G 是一款 NPN 型晶体管,广泛用于信号放大和开关电路中。
  2. 额定参数:
    • 集电极电流 (Ic): 最大可达 2A,这使得该三极管能够处理较大的负载,适合高功率应用。
    • 集电极-发射极击穿电压 (Vceo): 最大值达 100V,保证了在高电压环境下的可靠性。
    • 功率耗散: 490mW,表明该器件在持续工作下的功率消耗和散热性能是良好的。
  3. 电气特性:
    • 饱和压降 (Vce(sat)): 在 200mA 时,最大饱和压降为 150mV,这意味着在大电流通过时,器件表现出低损耗特性。
    • 直流电流增益 (hFE): 在 500mA 的集电极电流下,hFE 最小值为 120,确保了有效的信号放大能力。
  4. 频率特性: 该三极管的跃迁频率可达到 110MHz,适合于高频应用,例如 RF 电路和开关电源。

工业应用

NSS1C201LT1G 的规格使其适用于多种应用场景,包括但不限于:

  • 开关电源: 在DC-DC转换器和线性稳压器中,NSS1C201LT1G 能有效充当开关管。
  • 信号放大: 在音频和视频设备中,该晶体管可用作信号放大器,以增强信号的强度。
  • 汽车电子: 由于其广泛的工作温度范围(-55°C 至 150°C),该器件非常适合于汽车电子系统,能够在极端环境下可靠工作。
  • 消费电子产品: 适用于各种便携式电子设备,如手机、平板电脑和便携式音响。

封装与安装

NSS1C201LT1G 采用 SOT-23 封装,这种表面贴装型的设计使得器件在PCB上的安装工艺更加简便。SOT-23 封装的紧凑型设计不仅能节省电路板空间,还有利于提高整体电路的性能。此类器件适合使用自动化贴片机进行高效生产,能够提高生产效率和降低制造成本。

温度特性

该器件的工作温度范围从 -55°C 到 150°C,对于各类工业应用及高温环境下的工作场景,确保设备始终能够在极端气候条件下正常运行。

结论

总体来看,NSS1C201LT1G 是一款高效、可靠的 NPN 晶体管,其在电流处理能力、频率范围以及环境耐受性方面的优异表现,使其成为电子设计中的理想选择。随着电子产品向着更高性能与小型化的发展,NSS1C201LT1G 为设计者提供了一种有效解决方案,满足现代电子应用对于高效能元件的需求。无论是在消费电子、汽车电子还是工业控制领域,NSS1C201LT1G 都是一个值得信赖的选择。