型号:

STS2DNF30L

品牌:ST(意法半导体)
封装:SOIC-8
批次:24+
包装:编带
重量:0.226g
其他:
STS2DNF30L 产品实物图片
STS2DNF30L 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 2W 30V 3A 2个N沟道 SO-8
库存数量
库存:
2500
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.83
100+
2.36
1250+
2.15
产品参数
属性参数值
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)110mΩ@10V,1A
功率(Pd)1.6W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)4.5nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)121pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)11pF@25V
工作温度-40℃~+150℃

STS2DNF30L 产品概述

一、产品简介

STS2DNF30L是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能双N沟道场效应管(MOSFET),其设计专注于逻辑电平门应用。该产品支持多种工业和消费电子应用,能够在各种环境条件下高效运行。以其卓越的电流处理能力及优秀的导通性能,广泛用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等领域。

二、主要特性

  1. 结构和类型:

    • STS2DNF30L采用双N通道设计,以SOIC-8封装形式提供,适合表面贴装(SMD)应用,优秀的封装设计使得其在插入电路板时能够有效节省空间,并提高了电路的集成度。
  2. 电气规格:

    • 漏源电压(Vdss): 最大30V,确保在多种工作条件下的稳定性。
    • 连续漏极电流(Id): 高达3A,能够满足大多数功率转换需求。
    • 导通电阻(RDS(on)): 在1A和10V条件下,最大为110毫欧,体现了良好的导通性能,对电源效率的贡献显著。
    • 栅极阈值电压(Vgs(th)): 最大值为2.5V(@250µA),使得其在典型的逻辑电平驱动下能快速启动,适合用于低电压控制系统。
  3. 周边电气特性:

    • 输入电容(Ciss): 最大121pF(@25V),在高频应用中可有效减小开关损耗。
    • 栅极电荷(Qg): 最高为4.5nC(@10V),良好的栅极电荷使得驱动电路的需求降低,效率提升。
  4. 热性能:

    • 功率耗散能力: 最大2W,较高的热处理能力适合在高负载条件下使用。
    • 工作温度范围: 从-55°C到150°C,表明此器件能在极端温度条件下工作,确保在严苛环境中的可靠性。

三、应用领域

STS2DNF30L广泛应用于各种领域:

  • 电源管理: 适用于开关电源、DC-DC转换器等,能够提供高效的电流控制。
  • 电源按钮和开关: 作为逻辑电平控制器,适用于微控制器及其它数字电路的控制。
  • 电机驱动: 在直流电机控制中,作为开关元件,可高效控制电流流向。
  • LED驱动: 实现高效、精准的LED照明控制。

四、竞争优势

与其它同类产品相比,STS2DNF30L凭借其高导通效率、高温工作能力和稳定的电气特性,提供了低导通损耗和低电源干扰的优点。同时,市场上较为紧凑的SOIC-8封装,使其易于集成于各种电子设备中,极大地方便了客户的设计需求。

五、总结

STS2DNF30L是一个兼具性能与可靠性的高效双N沟道MOSFET,适用于各种逻辑电平控制的应用场景。其广泛的工作电压、出色的导通电阻及稳定的温度特性使得它成为功率管理、电机驱动及LED控制等领域的一款理想选择。意法半导体凭借其深厚的技术积累与创新能力,为客户提供了值得信赖的电子解决方案。无论是在工业应用还是消费电子产品中,STS2DNF30L都可以为客户带来高效、稳定的性能,助力其产品在竞争中脱颖而出。