型号:

STW42N65M5

品牌:ST(意法半导体)
封装:TO-247-3
批次:-
包装:编带
重量:6.501g
其他:
STW42N65M5 产品实物图片
STW42N65M5 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 190W 650V 33A 1个N沟道 TO-247AC-3
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最小包:600
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梯度内地(含税)
1+
29.04
600+
28.25
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)33A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)79mΩ@10V,16.5A
功率(Pd)190W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)100nC@520V
输入电容(Ciss@Vds)4.65nF@100V
反向传输电容(Crss@Vds)3.2pF@100V
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:STW42N65M5 N通道MOSFET

STW42N65M5是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的高性能N通道MOSFET,专为一些高电压和高电流应用设计。该元件采用TO-247-3封装,适合大功率管理和开关应用,广泛应用于电源转换器、变频器、和其他需要高效能和低热量散发的设备。

关键特性:

  1. 高电压能力:STW42N65M5的漏源电压(Vdss)高达650V,这使得它能够在高压电源和工业应用中运行,保障设备在高电压条件下的安全和稳定。

  2. 高电流处理能力:该MOSFET在25°C时可支持最大33A的连续漏极电流(Id),为负载提供足够的电流供应,适用于大功率系统。

  3. 低导通电阻:在10V的栅极驱动电压(Vgs)下,其最大导通电阻(Rds(on))仅为79毫欧(@16.5A),提高了功率转换效率,同时减少了能量损耗,降低了热量产生。

  4. 良好的导通特性:该器件的Vgs(th)阈值电压最大为5V(@250µA),意味着在适当的栅极驱动下,其能迅速导通,为电路提供良好的响应速度和效率。

  5. 适广泛的工作温度范围:STW42N65M5的工作温度可支持高达150°C(TJ),使其适合在苛刻环境中运行,确保设备长时间的可靠性。

  6. 低栅极电荷:最大栅极电荷(Qg)为100nC(@10V),意味着在开关应用中,驱动电路可减小功耗,从而提高整体系统的效率。

  7. 功率耗散能力:该设备具有高达190W的功率耗散能力(Tc),即使在高负载情况下,也能有效散热,确保器件工作稳定。

应用领域:

STW42N65M5广泛应用于许多高效能的电源管理系统,包括:

  • 开关电源:在开关电源设计中,该MOSFET可用于主开关,使得电源转换效率大幅提升。

  • 变频器:在电机驱动和变频器中,STW42N65M5能够提供高效的电流力,将功率转换成所需的频率和电压。

  • 代用品和电动车辆:该器件适用于高压电池管理和电动车辆动力系统中,将能量转化效率最大化,同时保证长时间的稳定性能。

  • 工业自动化设备:用于各类自动化设备和控制系统中,促进高效的功率管理和负载控制。

结论:

STW42N65M5常常被设计工程师所青睐,因为它不仅提供了高电压和电流处理能力,还极低的导通电阻和良好的热管理特性,使得它在高要求应用中表现出色。随着新一代高效电子设备和绿色能源系统的发展,该MOSFET的应用前景广阔,完全能够满足现代技术发展的需求。无论是在电源转换、变频控制,还是在工业自动化领域,STW42N65M5都展示了强大的适应性与可靠性。