型号:

IMX8-7-F

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT26
批次:-
包装:编带
重量:0.024g
其他:
IMX8-7-F 产品实物图片
IMX8-7-F 一小时发货
描述:三极管(BJT) 300mW 120V 50mA NPN SOT-26
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最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.451
3000+
0.422
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)50mA
集射极击穿电压(Vceo)120V
功率(Pd)300mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)180@2mA,6V
特征频率(fT)140MHz
集电极截止电流(Icbo)500nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@10mA,1mA
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

IMX8-7-F 产品概述

一、产品背景

IMX8-7-F是一款高性能的NPN型双极性晶体管(BJT),旨在满足现代电子设备中对高频、高效率和广泛工作温度范围的需求。根据最新电子设计的趋势,该器件能够在多种应用场景中提供优秀的性能,特别是在需要高开关速度和稳定性的设备中。

二、产品规格

  1. 晶体管类型:NPN

    • IMX8-7-F使用NPN结构,适合用于开关和放大电路中,特别是在数字电路、模拟信号处理及射频应用中表现优良。
  2. 电流参数

    • 最大集电极电流(Ic):50mA
    • 集电极截止电流(ICBO):500nA
    • 这些电流参数确保IMX8-7-F能够在各种负载条件下稳定工作,适合低功耗的应用。
  3. 电压参数

    • 集射极击穿电压(Vce):120V
    • 此高耐压特性使得该晶体管能够在高压环境中工作而不失效,拓宽了其可应用的电路范围。
  4. 饱和压降

    • Vce饱和压降:最大500mV @ 1mA 和 10mA
    • 较低的Vce饱和压降值能够提高整体电路的能效,降低功耗。
  5. 增益特性

    • DC电流增益(hFE):最小180 @ 2mA, 6V
    • 高增益特性意味着在较低基极电流下,IMX8-7-F能有效放大集电极电流,适合多种放大电路设计。
  6. 功率处理

    • 最大功率:300mW
    • IMX8-7-F设计用以承受适量的功率,保证在满负荷情况下的安全和可靠性。
  7. 频率响应

    • 跃迁频率:140MHz
    • 高跃迁频率适合高频信号的应用,如无线通信、射频放大器等。
  8. 工作温度

    • 工作温度范围:-55°C ~ 150°C
    • 广泛的工作温度范围保证了IMX8-7-F在极端环境中的稳定性,适合工业和汽车电子等领域的应用。
  9. 封装特性

    • 封装/外壳:SOT-26
    • 安装类型:表面贴装型
    • 这种小型封装形式有助于节省空间,非常适用于现代紧凑型电路设计。

三、应用场景

IMX8-7-F适用于多种应用场合,包括但不限于:

  • 数字电路:在逻辑电路和控制电路中用于信号开关。
  • 放大器和信号处理:在音频和射频应用中担当信号放大和变换的角色。
  • 功率管理:用于电源管理电路中,以控制和调节电流。
  • 汽车电子:因其广泛的工作温度范围,该器件适合用于汽车传感器、控制单元等应用。
  • 工业设备:在各种工业控制和监测设备中应用,满足高可靠性和耐用性要求。

四、总结

IMX8-7-F凭借其卓越的电气性能、广泛的工作温度范围和高耐压能力,成为设计师在选择NPN型晶体管时的优先选择。无论是在开关应用还是放大电路设计中,IMX8-7-F都能够提供稳定的性能和高度的可靠性,为现代电子设备的高效运作奠定基础。在未来不断发展的电子领域中,IMX8-7-F将继续为创新提供支撑,推动技术向前发展。