型号:

MJD127T4

品牌:ST(意法半导体)
封装:DPAK
批次:24+
包装:编带
重量:0.475g
其他:
MJD127T4 产品实物图片
MJD127T4 一小时发货
描述:达林顿管 20W 100V 1000@4V,4A PNP TO-252-2(DPAK)
库存数量
库存:
2449
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.62
100+
1.24
1250+
1.08
产品参数
属性参数值
类型PNP
集射极击穿电压(Vceo)100V
直流电流增益(hFE@Vce,Ic)1000@4V,4A
功率(Pd)20W
集电极电流(Ic)8A
集电极截止电流(Icbo@Vcb)10uA
集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib)4V@8A,80mA

MJD127T4 产品概述

产品概述 MJD127T4 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的高性能 PNP 达林顿晶体管,采用 DPAK 封装,适用于各类需要高电流和高电压的电子应用。其强大的性能特征使其成为功率控制、开关电源、马达驱动以及音频放大等领域的理想选择。

基本特性 MJD127T4 的最大集电极电流(Ic)为 8A,能够承受的集射极击穿电压(Vce)达到 100V。这使得它能够在高负载条件下稳定工作。对于设计师而言,MJD127T4 的这些参数提供了良好的灵活性,以应对各种电路设计需求。

饱和压降 在使用 MJD127T4 时,设计者需要考虑其饱和压降(Vce(sat)),在 Io = 8A、Ib = 80mA 条件下,其 Vce 饱和压降最大值为 4V。这意味着在高电流应用中,设计者应评估 Vce(sat) 对系统效率的影响,尤其是在功率转换应用中。

电流增益 MJD127T4 具备卓越的 DC 电流增益(hFE),在 Ic = 4A、Vce = 4V 时的最小值高达 1000。这一高增益特性使得 MJD127T4 在低控制电流时即可驱动较高的负载电流,广泛适用于需要强控制能力和高效率的电子设备。

功率处理能力和工作温度 MJD127T4 的最大功率为 20W,确保其在高功率应用中的可靠运行。更重要的是,MJD127T4 的工作温度可高达 150°C,适合于高温环境和长时间运行的应用。这一耐高温特性确保了其在苛刻条件下的持久性和稳定性。

安装类型和封装 MJD127T4 采用表面贴装型 (SMD) 的 DPAK 封装,这种封装形式方便了自动化焊接过程,减少了生产成本,同时也简化了PCB设计,降低了占用空间。DPAK 设计提供较高的散热能力,进一步提高了其在高功率应用中的表现。

应用领域 MJD127T4 被广泛应用于许多领域,包括:

  • 电机控制:适用于驱动直流电机,提供精准的控制与调节能力。
  • 开关电源:作为功率开关元件,能够高效控制电源的启闭状态。
  • 音频放大器:在高功率的音频应用中,提供可靠的放大性能。
  • 工业自动化:作为信号放大器和开关,广泛应用于各类传感器和执行器控制。

总结 总而言之,MJD127T4 是一款性能优越的 PNP 达林顿晶体管,凭借其高电流增益、卓越的功率处理能力及宽广的工作温度范围,在许多电子应用中提供可靠的解决方案。设计师可以利用 MJD127T4 的特点,将其用于各种高效能和高可靠性的电子设备中,有效提升整个系统的性能和稳定性。