型号:

NCV2903DR2G

品牌:ON(安森美)
封装:8-SOIC
批次:2年内
包装:编带
重量:0.31g
其他:
-
NCV2903DR2G 产品实物图片
NCV2903DR2G 一小时发货
描述:比较器 开集 7mV 1V~18V;2V~36V 250nA SOIC-8
库存数量
库存:
13506
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.606
2500+
0.56
产品参数
属性参数值
输入失调电压(Vos)7mV
输入偏置电流(Ib)250nA
工作电压1V~18V;2V~36V
输出类型开集
输出模式MOS;DTL;TTL;CMOS;ECL
每个通道供电电流2.5mA
工作温度-40℃~+125℃

NCV2903DR2G 产品概述

产品简介

NCV2903DR2G 是由安森美(ON Semiconductor)生产的一款高性能双路比较器,采用8-SOIC封装,广泛应用于各类电子电路中的信号处理与集成,是设计小型和高效电路系统的理想选择。该比较器具有极低的输入偏置电流和高达125°C的工作温度范围,使其适用于严苛条件下的工业及汽车电子应用。

主要特性

  1. 高电压范围:NCV2903DR2G 的供电电压范围为2V至36V(单电源)和±1V至±18V(双电源),为设计者提供了灵活的电源设计选择。

  2. 低输入偏置电流:该器件的输入偏置电流最大值为0.25µA @ 5V,适合用于信号较弱的应用场合,降低了输入信号的损耗,有助于提高信号的完整性。

  3. 低输入补偿电压:输入补偿电压的最大值为7mV @ 30V,使得该比较器在处理微小信号时表现出色,适用于需要高精度比较的应用。

  4. 典型输出电流:NCV2903DR2G 的输出电流典型值达到16mA @ 5V,能够支持多种逻辑电平的驱动需求,包括CMOS、TTL等,确保其能与多种逻辑电路无缝配合。

  5. 低静态电流:器件最大静态电流为2.5mA,有助于降低系统功耗,尤其在电池供电的应用中尤为重要。

传播延迟

NCV2903DR2G 的最大传播延迟为1.3µs,这使得该产品在快速响应应用中表现优异。高速响应能力对于实时系统和高刷新率的应用至关重要,如图像处理和快速开关控制。

操作温度范围

产品能够在-40°C至125°C的温度范围内稳定工作,充分满足苛刻环境下的应用需求。无论是在汽车电子、工业控制还是极端温度下的设备,该比较器都能够保持可靠性和性能。

封装与安装

NCV2903DR2G 采用8-SOIC封装,宽度为3.90mm,适合表面贴装技术(SMT)。这一优点使得其在空间受限的应用中优势明显,更方便与现代生产工艺相结合。

应用领域

由于其卓越的性能参数,NCV2903DR2G 广泛应用于以下领域:

  • 汽车电子:包括电池监控系统、传感器信号处理以及汽车控制系统中。
  • 工业控制:例如温度监测、压力传感器应用,以及各类自动化设备。
  • 消费电子:用于信号比较、数据转换器前端电路等场景。
  • 医疗设备:对信号精度要求极高的医疗电子产品。

结论

综上所述,NCV2903DR2G 是一款高性能的双路比较器,凭借其高供电电压范围、低输入偏置电流、快速传播延迟及宽广的工作温度范围等优势,为电子系统设计提供了极大的灵活性与可靠性。无论是在高温、高压,还是复杂信号的处理场合,NCV2903DR2G 都能成为设计者的有力助手,是各类高性能电路的合适选择。