描述：数字晶体管 PDTC114EMB/SOT883B/XQFN3
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产品参数
属性参数值
制造商Nexperia USA Inc.
包装卷带（TR）
零件状态有源
晶体管类型NPN - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）30 @ 5mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）150mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）1µA
安装类型表面贴装型
封装/外壳3-XFDFN
供应商器件封装DFN1006B-3
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）50V
电阻器 - 基极 (R1)10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms
频率 - 跃迁230MHz
功率 - 最大值250mW
基本产品编号PDTC114
PDTC114EMB/SOT883B/XQFN3 产品概述
产品简介
PDTC114EMB/SOT883B/XQFN3 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款 NPN 序列数字晶体管，采用卷带（TR）方式封装，适用于表面贴装电路。其设计特别适合用于低功耗应用，能够在小型化的电子产品中提供可靠、高效的性能。该器件具备优良的电流增益和饱和压降特性，使其成为广泛应用于数字电路、开关电源及其他信号处理应用的理想选择。
主要参数
- 制造商：Nexperia USA Inc.
- 器件类型：NPN - 预偏压数字晶体管
- 工作状态：有源
- 封装类型：DFN-1006B-3（3-XFDFN）
- 最大集电极电流 (Ic)：100mA
- 最大集射极击穿电压 (Vce)：50V
- 功率耗散：250mW
- 不同基极电流 (Ib)、集电极电流 (Ic) 下的饱和压降 (Vce)：最大 150mV @ 500µA, 10mA
- 最小 DC 电流增益 (hFE)：30 @ 5mA，5V
- 集电极截止电流 (Ic)：最大 1µA
- 频率特性：跃迁频率为 230MHz
- 电阻 - 基极 (R1)：10 kΩ
- 电阻 - 发射极 (R2)：10 kΩ
应用场景
PDTC114EMB 往往应用于多种数字电路中，例如：
- 信号开关：该晶体管能够在较低的电流驱动下实现有效的信号开关功能。这使其在无线通信和数据通信设备中表现良好。
- 音频设备：由于其低噪声特性，PDTC114EMB 可以广泛用于音频处理电路，提供清晰、干净的音频输出。
- 驱动电路：其适应性强的输出电流和较高的频率响应，使之尤为适合用于各种小型电机和负载的驱动应用。
- 便携式设备：高效能和小型的封装设计，使得 PDTC114EMB 非常适合用于智能手机、平板电脑和便携式音频设备等。
性能优势
- 低饱和压降：最大 150mV 的饱和压降意味着在传统开关状态下，降低了功耗，提升了整体效能。
- 高频率响应：230MHz 的跃迁频率使其非常适合高速数字电路，有效应对高频信号的处理需求。
- 小型封装：DFN-1006B-3 封装能够有效节省电路板空间，符合现代电子设备对于小型化设计的趋势。
- 适应广泛的工作条件：最大 100mA 的集电极电流和 50V 的高击穿电压范围为多种电气条件下的应用提供了保障。
结论
PDTC114EMB/SOT883B/XQFN3 是一款集高性能与小型化于一身的 NPN 数字晶体管，适合多种线路板应用，尤其是对功耗、空间和频率响应有严格要求的电子产品。其广泛的应用前景以及卓越的技术参数，使其成为当今电子工程师的优选元器件之一。无论是在消费电子、工业控制还是通信领域，PDTC114EMB 都能为各种设计提供可靠的解决方案。