CSD25402Q3A

CSD25402Q3A 产品概述

产品简介

CSD25402Q3A 是由德州仪器（Texas Instruments）推出的一款 P-沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为高效能和高可靠性应用而设计。该器件采用表面贴装型封装（8-VSON, 3.3mm x 3.3mm），其优异的性能使其在现代电子设备中广泛应用，尤其是在功率管理、开关电源和电池管理系统等场合。

基础参数

CSD25402Q3A 的核心参数包括最大漏极电流（Id）为76A，工作电压范围为20V，功率耗散最大值为2.8W（环境温度下）及69W（结温下）。该MOSFET 在不同的栅源电压（Vgs）下，最大导通电阻（Rds(on)）为8.9毫欧，以确保通过电流时的能量损耗极小，从而提高整体效率。

性能特点

1. 优异的导通特性：在栅源电压为4.5V和10A 时，CSD25402Q3A 的最大导通电阻为8.9mΩ，保证了在高电流条件下的极低功率损耗。

2. 低栅极电荷：在4.5V的栅源电压下，该器件的最大栅极电荷（Qg）为9.7nC，意味着在开关过程中能更快地驱动和切换，降低开关损耗。

3. 宽工作温度范围：其工作温度范围为-55°C到150°C，适应严酷环境下的应用需求，增加了其在工业设备和汽车电子领域的适用性。

4. 高输入电容：在10V的漏源电压（Vds）时，最大的输入电容（Ciss）为1790pF，提供出色的稳态性能。

5. 易于驱动：该MOSFET 的最大栅源电压（Vgs）为±12V，可以兼容多种驱动电压，适应不同设计需求。

应用场景

CSD25402Q3A 主要用于需要高电流开关的场合，特别是在以下几个领域中表现出色：

• 开关电源（SMPS）：在电源转换和稳压应用中，作为开关元件用以提高能效。
• 电池管理系统：在电池充放电中控制电流，通过其优异的导通特性实现高效充电。
• DC-DC 转换器：作为升压或降压转换器的关键开关元件，提供高效的能量转换。
• 电机控制：在无刷电机驱动应用中，控制电流以实现精确控制和高效运行。

封装特性

CSD25402Q3A 采用的8-VSON封装，具有小型化和低热阻的优点，使得其在空间受限的应用中依然能够保持良好的散热性能，适用于现代微型化电子设备。

结论

综上所述，CSD25402Q3A 是一款高性能的 P-沟道 MOSFET，具备低功耗、高电流处理能力及广泛的适用性。凭借德州仪器在半导体领域的技术积累和质量保证，该器件为设计工程师提供了一个可靠的选择，可以满足各种复杂应用条件下的性能要求，为实现高效能电子系统贡献力量。