FDD5N60NZTM

产品概述：FDD5N60NZTM N通道MOSFET

1. 引言

FDD5N60NZTM 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，由安森美半导体（ON Semiconductor）制造。该器件设计用于高压应用，能够承受高达 600V 的漏源电压，并且以其优异的导通阻抗性能和高功率处理能力，广泛应用于开关电源、逆变器以及工业控制等场景。

2. 主要规格及参数

• FET 类型：N 通道 MOSFET
• 漏源电压（Vdss）：最高可达 600V
• 持续漏极电流（Id @ TC 25°C）：4A
• 导通电阻（Rds(on)）：最大值 2Ω @ 2A、10V 的栅压
• 栅极驱动电压范围：最大 Rds(on) 下为 10V
• 栅极阈值电压 (Vgs(th))：最高为 5V @ 250µA
• 栅极电荷（Qg）：最大值为 13nC @ 10V
• 输入电容 (Ciss)：最大值为 600pF @ 25V
• 功率耗散（PD）：最大值为 83W @ TC
• 工作温度范围：-55°C 到 150°C
• 封装类型：D-Pak（TO-252-3）

3. 应用场景

FDD5N60NZTM 的设计重点在于支持高电压和高电流的操作，使其适合多种工业和消费电子应用。它被广泛应用于以下领域：

• 开关电源（SMPS）：在开关电源中，FDD5N60NZTM 可以被用作主开关元件，有效提高电源效率。
• 电机驱动：此器件支持电机控制的快速开关，有助于提升电机的响应速度和功率。
• 逆变器：在光伏逆变器和工业逆变器中，FDD5N60NZTM 提供可靠的开关控制，保障能量的高效转换。
• 电池管理系统：用于保护和管理电池组的充放电过程，确保设备的安全与高效运行。

4. 性能优势

• 高功率处理能力：83W 的功率耗散能力使得 FDD5N60NZTM 能够在高负载条件下稳定工作，适合高性能应用。
• 低导通电阻：最大导通阻抗为 2Ω，有助于降低能量损耗和热量产生，提高电路效率。
• 广泛的工作温度范围：适应多种应用场景，从严酷的环境到标准工业环境，确保产品的可靠性。
• 高宽度的栅极驱动电压：能够以 ±25V 的栅极电压可靠工作，使其在各种驱动条件下表现出色。
• 小型表面贴装封装：D-Pak 封装提高了组件的密度，支持现代小型化电路设计。

5. 结论

FDD5N60NZTM N 通道 MOSFET 是一款集成了高性能和可靠性的电气元件，适用于多种工业和商业应用。无论是在开关电源、逆变器，还是在电机驱动中，FDD5N60NZTM 都能提供卓越的表现和稳定性。其强大的技术参数和优质的制造工艺使得它对于需要高效能和耐高压的应用来说是一个理想的选择。作为现代电子设备设计中的重要组成部分，了解和选择合适的 MOSFET 器件，对于确保系统的高效性和稳定性至关重要。