型号:

RTE002P02TL

品牌:ROHM(罗姆)
封装:EMT3
批次:-
包装:编带
重量:0.022g
其他:
RTE002P02TL 产品实物图片
RTE002P02TL 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 150mW 20V 200mA 1个P沟道 SC-75(SOT-416)
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商品单价
梯度内地(含税)
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0.451
200+
0.29
1500+
0.253
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)200mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.1Ω@4V,0.2A
功率(Pd)150mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@1mA
输入电容(Ciss@Vds)50pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)5pF
工作温度-55℃~+150℃

RTE002P02TL 产品概述

一、产品概述

RTE002P02TL 是一款高性能 P 通道 MOSFET,采用表面贴装型设计,适用于多种电源管理与开关应用。该产品由知名的 ROHM(罗姆)公司生产,以其卓越的品质和可靠性而广受用户欢迎。此款 MOSFET 具备出色的导通特性和热管理能力,非常适合用于要求低导通电阻及高工作温度的场合。

二、主要规格

  • 安装类型: 表面贴装(EMT3 封装)
  • 导通电阻(Rds(on)): 最大值为 1.5 欧姆(在 Vgs 为 4.5V,Id 为 200mA 下测得)
  • 驱动电压: 最低 Rds(on) 可在 Vgs = 2.5V 和 Vgs = 4.5V 下正常工作
  • 连续漏极电流 (Id): 最高可达 200mA(在 25°C 环境温度下)
  • 漏源电压 (Vdss): 20V,适用于低电压应用
  • 输入电容 (Ciss): 最大为 50pF(在 Vds = 10V 下测得)
  • 最大 Vgs: ±12V
  • 功率耗散: 最大功率耗散为 150mW(在 Ta 环境温度下)
  • 工作温度范围: 最高可达 150°C(TJ)

三、技术优势

RTE002P02TL 的设计考虑了多个运作条件下的数据表现,提供了良好的温度特性和电流承载能力。考虑到电子设备日益增加的功耗需求,该 MOSFET 在保证高效能的同时,尽量降低了能耗,提升了系统的整体性能。其低 Rds(on) 的特性使得在开关应用中能够有效减少功率损耗,提升器件的工作效率。

四、应用场景

RTE002P02TL 主要应用于包括但不限于以下几个领域:

  1. 电源管理: 适合用于各种电源的开关电路,帮助实现高效的直流-直流转换。
  2. 充电器设计: 具备低导通电阻与较高的温度稳定性,非常适合用于移动设备和嵌入式系统的充电方案。
  3. 电池供电设备: 在便携式电子设备中,可以作为开关和保护元件,帮助实现更长的电池使用时间。
  4. LED 驱动电路: 采用此 MOSFET 可有效控制 LED 的开关,为照明系统提供稳定的驱动电压。

五、产品可靠性

RTE002P02TL 具备高度的热稳定性,可以承受最大 150°C 的工作环境温度。在高温环境下,该 MOSFET 依然能够保持良好的性能,这对于在严酷条件下工作的电子设备尤其重要。此外,该元件的封装设计关注到散热性能,能够有效降低器件运行过程中产生的热量,延长产品寿命。

六、总结

总之,RTE002P02TL 是一款高效、可靠的 P 通道 MOSFET,特别适合于现代电子产品中的多种应用场景。凭借其出色的热性能和高导通能力,ROHM 的这款产品预计将在电源管理、充电器和便携设备等领域继续表现颇佳。选择 RTE002P02TL,用户可以放心将其应用于对性能和可靠性有较高要求的系统中。