描述：场效应管(MOSFET) 250W 650V 32A 1个N沟道 TO-220
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)32A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)99mΩ@10V,16A
功率(Pd)250W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)56.5nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)2.355nF@100V
反向传输电容(Crss@Vds)2.7pF@100V
工作温度-55℃~+150℃
STP40N65M2 产品概述
一、产品简介
STP40N65M2 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 通道 MOSFET，专为各种高电压和中等电流应用而设计。凭借其优异的特性，如高漏源电压、低导通电阻和较高的功率耗散能力，该元器件广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等场合。
二、技术参数
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
- 漏源电压（Vdss）: 650V
- 单个漏极电流（Id，25°C）: 32A
- 驱动电压: 10V（最大 Rds On 和最小 Rds On）
- 导通电阻（Rds(on)）: 在 10V 驱动下，16A 时最大值为 99 毫欧
- 阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为 4V @ 250µA
- 输入电容（Ciss）: 最大值 2355pF @ 100V
- 栅极电荷（Qg）: 最大值为 56.5nC @ 10V
- 漏极功耗（Pd）: 最大功率耗散为 250W
- 工作温度: 可在最高 150°C 的环境下工作
- 封装类型: TO-220
- 安装方式: 通孔安装
三、设计特点
高耐压能力: STP40N65M2 的650V的漏源电压，使其成为高电压应用的理想选择。能够有效应对高电网电压波动及瞬态情况，确保系统稳定性。
低导通电阻: 其最大导通电阻为99毫欧在16A电流下，意味着在工作过程中能量损耗较小，有助于提高系统的效率，降低热量产生，从而提高系统的可靠性。
高功率处理能力: 最大功率耗散为250W，使得该MOSFET能在各种电力密集型应用中稳定工作，适用于需要长时间高负荷运行的场合。
宽工作温度范围: 工作温度范围高达150°C，适用于各种恶劣环境，确保在高温条件下依然能保持高稳定性。
四、应用场景
STP40N65M2 的多种特性使其适用于以下几个领域：
- 开关电源: 能有效提高开关转换效率，降低能源损耗，特别是在计算机电源和消费电子产品中。
- 电机驱动: 在电机控制系统中，该MOSFET能够实现快速开关，从而提高电机效率以及缩短驱动系统的响应时间。
- DC-DC 转换器: 能够为电池供电和电源转换应用提供高效的解决方案。
- 电源管理 IC: 与其他电源管理组件结合使用，STP40N65M2 可以提供高效的电源结合方案。
五、封装与安装
STP40N65M2 的封装为 TO-220，适合插拔式安装，并能轻松适应于通孔电路设计。此封装设计具有良好的热管理特性，使其能有效散热，特别是在高功率应用场合中。
六、总结
STP40N65M2 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，具备650V 的高电压、32A 的电流及低导通电阻等优点，适用于电源转换、电机驱动和电源管理等多种应用。作为 STMicroelectronics 的产品，其稳定性与性能得到了广泛认可，能够满足各类工业和消费类电子设备的需求。选择 STP40N65M2，将为您的电子设计项目提供强有力的支持。