型号:

XP151A13A0MR

品牌:TOREX(特瑞仕)
封装:SOT-23-3
批次:24+
包装:编带
重量:0.038g
其他:
XP151A13A0MR 产品实物图片
XP151A13A0MR 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 500mW 20V 1A 1个N沟道 SOT-23-3L
库存数量
库存:
29
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.3
100+
0.996
750+
0.831
1500+
0.755
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)1A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)100mΩ@4.5V,500mA
功率(Pd)500mW
输入电容(Ciss@Vds)220pF@10V

XP151A13A0MR 产品概述

制造商与系列

XP151A13A0MR 是由 Torex Semiconductor Ltd 生产的一款高性能N沟道MOSFET,属于高效能的场效应管系列。Torex在低功耗和高集成度的电子器件领域拥有良好的声誉,其MOSFET产品以高效能和可靠性著称,适用于多种电子应用。

产品规格

XP151A13A0MR具备如下基础参数,适合于多种电子设备的设计:

  • 零件状态: 不适用于新设计
  • FET类型: N通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物场效应管)
  • 最大连续漏极电流 (Id): 1A(在25°C环境下)
  • 驱动电压: 为确保最佳导通状态,XP151A13A0MR的最小和最大驱动电压分别为1.5V和4.5V。
  • 导通电阻: 在4.5V时,500mA的电流下,最大导通电阻为100毫欧,这一特性使得XP151A13A0MR在功率管理和电源转换应用中表现出色。
  • 最大栅源电压 (Vgs): ±8V,意味着在栅极控制中拥有良好的耐压特性。
  • 功率耗散: 最高可达到500mW,为多种应用提供了可靠的功率管理能力。
  • 工作温度: 器件的工作温度可达150°C(TJ),适用于高温环境下的电子设备。
  • 安装类型: 表面贴装型(SMD),便于在现代电子电路中进行高密度布线。
  • 封装: SOT-23封装(TO-236-3, SC-59),体积小,便于与其他元件集成。

电气特性与应用

XP151A13A0MR的漏源电压(Vdss)为20V,适合中低电压电源管理和开关应用。同时,其输入电容 (Ciss) 在10V时最大为220pF,表明其在快速开关条件下表现出色,确保了设备能够迅速响应输入信号的变化。

这些特性使得XP151A13A0MR在多个领域的应用中展现出广泛的适用性,包括但不限于:

  1. 电源管理: 适合用于DC-DC转换器、线性稳压器等电源模块,以实现高效能的电源转换和管理功能。

  2. 开关电源: 可用于各种开关电源设计中,比如用于LED驱动、电机控制等,提供稳健的功率控制性能。

  3. 消费电子: 在便携式设备、小家电等应用中,作为开关元件可有效降低待机功耗,提升能效。

  4. 工业控制: 在工业自动化和控制领域中,XP151A13A0MR可用于驱动负载、模块开关等功能。

总结

总的来说,XP151A13A0MR N沟道MOSFET以其小巧的SOT-23封装和优越的电气特性,适合各种电子产品的电源管理和开关控制应用。虽然该产品标记为不适用于新设计,但其稳定的性能和可靠的工作条件仍然使其成为老旧电子设备和特定应用中的理想选择。针对温度和功率处理的高需求场合,XP151A13A0MR能够为设计人员提供可靠的解决方案,同时在各种设备中提升能效和性能。