型号:

IS42S16160G-6TLI

品牌:ISSI(美国芯成)
封装:54-TSOP II
批次:-
包装:托盘
重量:-
其他:
IS42S16160G-6TLI 产品实物图片
IS42S16160G-6TLI 一小时发货
描述:IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TSOP54 II
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商品单价
梯度内地(含税)
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产品参数
属性参数值
存储器类型易失
存储器格式DRAM
技术SDRAM
存储容量256Mb (16M x 16)
存储器接口并联
时钟频率166MHz
访问时间5.4ns
电压 - 供电3V ~ 3.6V
工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型表面贴装型
封装/外壳54-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
供应商器件封装54-TSOP II

IS42S16160G-6TLI 产品概述

一、产品简介

IS42S16160G-6TLI 是一款由美国芯成(ISSI)公司制造的高性能 DRAM(动态随机存储器) 存储器,采用了先进的 SDRAM(同步动态随机存储器)技术。这款存储器提供了 256Mb 的存储容量,结构由 4M x 16 位的内存单元构成,适合多种存储需求的应用。IS42S16160G-6TLI 不仅具有出色的数据访问速度和低功耗特性,而且适用于广泛的工业和消费类电子产品。

二、关键参数

  1. 存储器类型:易失性
  2. 存储器格式:DRAM
  3. 存储技术:SDRAM
  4. 存储容量:256Mb(16M x 16)
  5. 存储器接口:并联接口
  6. 时钟频率:166MHz
  7. 访问时间:5.4ns
  8. 工作电压:3V ~ 3.6V
  9. 工作温度范围:-40°C ~ 85°C(TA)
  10. 安装类型:表面贴装型
  11. 封装形式:54-TSOP II

三、技术特点

  • 高性能存储:IS42S16160G-6TLI 可在166MHz的频率下提供高达5.4ns的访问时间,使其在数据速率和存取效率方面表现卓越。这一特性使得该存储器特别适合需要快速数据流和频繁读写操作的应用场合。

  • 广泛的工作温度范围:该存储器的工作温度范围从-40°C到85°C,保证了其在极端环境下的稳定性和可靠性。这样的设计使得 IS42S16160G-6TLI 非常适合用于汽车电子、工业控制、医疗设备等应用。

  • 低功耗特性:其工作电压为3V到3.6V,不仅使功耗更低,同时也延长了由电池供电设备的续航能力。对于便携式设备及对功耗敏感的应用场景尤为重要。

  • 便捷的封装设计:采用 54-TSOP II 封装方式,紧凑的设计使得其更容易在空间受限的电路板上进行布置。这一封装形式也使得 IS42S16160G-6TLI 更加易于焊接和集成于各种电子系统。

四、应用场景

IS42S16160G-6TLI 可广泛应用于多种电子产品,如:

  1. 消费电子产品:例如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等,能满足高性能、多任务处理的要求。
  2. 工业控制系统:在要求高精度和高可靠性的设备中,适宜用于数据采集、控制算法处理等功能。
  3. 汽车电子:例如车载娱乐系统、导航设备及传感器数据处理器,凭借其广泛的工作温度范围,确保在各种驾驶条件下的稳定运行。
  4. 医疗设备:在需要高稳定性及实时处理能力的医疗设备中,如监护仪和影像处理设备,IS42S16160G-6TLI 都能提供可靠的数据支持。

五、总结

IS42S16160G-6TLI 产品凭借其高性能、低功耗、稳定的工作温度范围以及便于集成的封装设计,在众多应用领域展现出强大的竞争力。它不仅能满足现代电子设备对存储器的高速和高效需求,还通过其出色的可靠性确保了应用的安全性和稳定性。作为行业领先的解决方案之一,IS42S16160G-6TLI 将成为高性能存储器市场中的一份重要力量。