IS42S16160G-6TLI 是一款由美国芯成(ISSI)公司制造的高性能 DRAM(动态随机存储器) 存储器,采用了先进的 SDRAM(同步动态随机存储器)技术。这款存储器提供了 256Mb 的存储容量,结构由 4M x 16 位的内存单元构成,适合多种存储需求的应用。IS42S16160G-6TLI 不仅具有出色的数据访问速度和低功耗特性,而且适用于广泛的工业和消费类电子产品。
高性能存储:IS42S16160G-6TLI 可在166MHz的频率下提供高达5.4ns的访问时间,使其在数据速率和存取效率方面表现卓越。这一特性使得该存储器特别适合需要快速数据流和频繁读写操作的应用场合。
广泛的工作温度范围:该存储器的工作温度范围从-40°C到85°C,保证了其在极端环境下的稳定性和可靠性。这样的设计使得 IS42S16160G-6TLI 非常适合用于汽车电子、工业控制、医疗设备等应用。
低功耗特性:其工作电压为3V到3.6V,不仅使功耗更低,同时也延长了由电池供电设备的续航能力。对于便携式设备及对功耗敏感的应用场景尤为重要。
便捷的封装设计:采用 54-TSOP II 封装方式,紧凑的设计使得其更容易在空间受限的电路板上进行布置。这一封装形式也使得 IS42S16160G-6TLI 更加易于焊接和集成于各种电子系统。
IS42S16160G-6TLI 可广泛应用于多种电子产品,如:
IS42S16160G-6TLI 产品凭借其高性能、低功耗、稳定的工作温度范围以及便于集成的封装设计,在众多应用领域展现出强大的竞争力。它不仅能满足现代电子设备对存储器的高速和高效需求,还通过其出色的可靠性确保了应用的安全性和稳定性。作为行业领先的解决方案之一,IS42S16160G-6TLI 将成为高性能存储器市场中的一份重要力量。