型号:

DMPH6250SQ-7

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT23
批次:2年内
包装:编带
重量:-
其他:
DMPH6250SQ-7 产品实物图片
DMPH6250SQ-7 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 920mW 60V 2.4A 1个P沟道 SOT-23-3
库存数量
库存:
228
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.04
200+
0.803
1500+
0.698
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)2.4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)240mΩ@4.5V,2A
功率(Pd)1.62W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.9V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)8.3nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)512pF@30V
反向传输电容(Crss@Vds)23.2pF@30V
工作温度-55℃~+175℃

DMPH6250SQ-7 产品概述

产品简介 DMPH6250SQ-7 是一款高性能的P沟道MOSFET,专为高效率开关电源和功率管理应用设计。该器件具有出色的电气特性,适用于各种电子设备,能够有效地满足现代电子产品日益增长的性能需求。基于Diodes(美台)公司的出色制造工艺,DMPH6250SQ-7 在高温和高压环境下仍能保持其稳定性和可靠性。

主要参数与特性

  • FET类型: P沟道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物场效应管)
  • 漏源电压(Vdss): 60V
  • 持续漏极电流(Id): 25°C条件下达到2.4A,适合用于高电流应用。
  • 导通电阻(Rds(on)): 在10V Vgs条件下最大值为155毫欧(@2A),此参数确保了设备在全负载下的低功耗特性。
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)): 最大值为3V @ 250µA,使得该器件在低电压条件下也能够快速转换。
  • 栅极电荷(Qg): 在10V Vgs下最大值为8.3nC,确保快速开关性能,减少开关损耗。
  • 输入电容(Ciss): 最大值为512pF @ 30V,降低了高频操作下的信号干扰。
  • 功率耗散: 最大功率耗散为920mW,适应大多数功率管理场景,提升了产品的稳定性和可靠性。
  • 工作温度范围: -55°C 至 175°C,适用于各种恶劣环境下的应用。
  • 安装类型: 表面贴装型(SMD),封装为SOT-23,支持自动化生产流程,提高了生产效率。

应用领域 DMPH6250SQ-7的广泛应用使其成为各种电子产品的关键元件,尤其是在以下几种场景中表现突出:

  1. 开关电源: 由于其高效的开关特性,该MOSFET非常适合用作DC-DC转换器中的开关元件,能够实现高效能量转换。
  2. 电机驱动器: 该元件能够提供稳健的漏极电流,适用于电动机控制电路,确保电机运行的稳定性和可靠性。
  3. 功率管理: DMPH6250SQ-7可以在电池供电的设备中应用,如便携式电子设备,能够有效管理能耗,延长电池使用寿命。
  4. 消费电子: 作为各种消费电子产品(如电视、音响、家用电器)的核心组件,提供必要的电流控制功能。
  5. 电源保护: 在电源过负载或短路情况下,具有良好的热特性,有助于提高电路的安全性。

总结 DMPH6250SQ-7将高效率、低损耗和小尺寸集于一身,特别适合现代电子应用的需求。其高温、高电压的特性及稳定的电气性能,使其在工业、汽车、消费电子等各种应用中都可以提供优异性能。选择DMPH6250SQ-7将为您的设计提升整体性能与可靠性,确保在多种应用环境下的稳定运行。