描述：场效应管(MOSFET) 810mW 40V 7.2A 1个P沟道 PowerDI3333-8
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.8
100+
1.44
750+
1.29
1500+
1.21
3000+
1.15
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)7.2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)25mΩ@10V
功率(Pd)810mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)800mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)14nC
输入电容(Ciss@Vds)1.643nF@20V
反向传输电容(Crss@Vds)128pF@20V
工作温度-55℃~+150℃
DMP4025SFGQ-13 产品概述
产品简介
DMP4025SFGQ-13 是一款高性能 P 通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），由美台半导体（DIODES）公司制造。其设计旨在满足高效率和低功耗的应用需求，广泛应用于电源管理、开关电源、直流-直流转换器以及电机驱动等场合。该器件采用高效的 PowerDI3333-8 表面贴装封装，确保了电路的紧凑性和可靠性。
关键参数
- FET 类型: P 通道
- 最大漏源电压 (Vdss): 40V
- 连续漏极电流 (Id): 7.2A（Ta = 25°C）
- 驱动电压 (Vgs): 4.5V（最小 Rds On）和 10V（最大 Rds On）
- 导通电阻 (Rds On): 在 10V 的条件下，最大值为 25 毫欧（@ 3A）
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大 1.8V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg): 最大 33.7nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss): 最大 1643pF @ 20V
- 功率耗散 (Pd): 最大 810mW（Ta = 25°C）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ）
- 封装类型: PowerDI3333-8
产品特点
高效能: DMP4025SFGQ-13 的低导通电阻（最大 25 毫欧）在保证低功耗的同时，显著提高了效率，减少了在应用中的热量生成。这使得其成为在对效率要求严苛的电源设计中的理想选择。
广泛的电压和电流范围: 它能够在高达 40V 的漏源电压和 7.2A 的连续电流下正常工作，适应各种类型的电源管理需求。
阈值电压低: 该器件的最大阈值电压为 1.8V，使其能够在较低的栅极电压下实现开关，适应低电压驱动的应用场景。
高温特性: 其工作温度范围从 -55°C 至 150°C，使得 DMP4025SFGQ-13 适用于极端环境，尤其是在工业和汽车应用中，这种特性极为重要。
紧凑的封装设计: PowerDI3333-8 封装降低了电路板的空间占用，同时提供了良好的散热性能。其独特的封装结构有效提高了器件的散热能力，支持高功率应用。
应用场景
DMP4025SFGQ-13 的设计非常适合用于以下应用：
- 开关电源: 在 DC-DC 转换器中作为开关元件，提供高效的电能转换。
- 电源管理: 可用于电池管理系统，为电池充电和放电提供高效的解决方案。
- 工业控制: 用于电机驱动和控制电路中，满足快速开关的需求。
- 汽车电子: 因其高温工作能力，适用于汽车ECU、灯具控制及各种汽车电源分配系统。
结论
DMP4025SFGQ-13 是一款高度集成且性能卓越的 P 通道 MOSFET，凭借其低导通电阻、广泛的电压电流范围及良好的高温性能，非常适合现代电子设计的多种应用。美台半导体通过此产品展示了其在高效电源管理技术领域的领先地位，是工程师在选择 MOSFET 时值得考虑的优质选择。